类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 25A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.6mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 736pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 配置 | 半桥 |
产品名称: CSD87588N
品牌: 德州仪器 (Texas Instruments)
封装类型: 5-XFLGA (5-PTAB)
应用领域: 开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、消费类电子产品、汽车电子等
CSD87588N 是一款高效的 N 通道 MOSFET,特别设计用于要求高性能与高功率的电子应用。该器件集成了两个 N 通道 FET,构成了一个半桥结构,能够高效驱动负载,并用于多种开关应用。受益于其低导通电阻、高阈值电压和广泛的工作温度范围,CSD87588N 是一款可靠且灵活的选择。
CSD87588N 采用 5-XFLGA 表面贴装封装,尺寸为 3mm x 2.5mm,适合自动化贴片技术,便于在空间有限的应用中使用。该封装设计支持高效的热管理,保证在高负载条件下的可靠工作。
CSD87588N 特别适合用在包括但不限于以下应用中:
CSD87588N 是一款专为高性能电源管理与驱动设计而优化的 N 通道 MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优异的热性能以及宽广的应用适应性,它在各类现代电子设计中展现了出色的性能与可靠性。无论是开关电源,还是高效率电机驱动,CSD87588N 都是工程师们值得关注的优秀选择。