类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.03A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@1.8V,460mA |
功率(Pd) | 450mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 37.1pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.8pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMC2450UV-7 是一款高性能 MOSFET(场效应管),能够满足各种低功耗应用的需求。该器件由美台(DIODES)品牌制造,采用表面贴装型(SMD)封装,主要用于电源管理和开关应用。DMC2450UV-7 同时集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET,极大地便利了设计工程师在电路设计中的应用灵活性。以下是该器件的主要参数及其应用的详细说明。
宽电压范围: DMC2450UV-7 的漏源电压最大为20V,使其适用于多种低压电源应用,包括便携式设备和电池供电的项目。
高连续漏极电流: 其在 25°C 下可支持的 1.03A(N 沟道)和 700mA(P 沟道)提供了良好的电流处理能力,适合用于电流需求较高的电路。
低导通电阻: 器件在 200mA、5V 条件下的导通电阻为 480mΩ,表明其在导通状态下的功耗较低,能够提高整体效率,减少热量生成,非常适合于高效电源应用。
高温耐受性: DMC2450UV-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适用于严苛环境中的应用,例如工业设计和汽车电子产品。
小型封装: SOT-563 封装设计使得 DMC2450UV-7 具有较小的足迹,适合空间受限的设计,能够方便地集成到密集的电路板中。
DMC2450UV-7 可广泛应用于诸多领域,包括但不限于:
DMC2450UV-7 以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围及低功耗特性,成为现代电子电路设计中不可或缺的元器件。通过结合 N 沟道和 P 沟道的特性,设计师可以更灵活地解决电源管理和开关控制的问题。这种 MOSFET 的多功能性和高效性使其在多种应用中成为理想选择,对于追求高性能和可靠性的电子产品来说,DMC2450UV-7 无疑是一个优质的选择。