类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 115mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@500mA,10V |
功率(Pd) | 200mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
2N7002-T1-GE3 是由 VISHAY(威世)公司出品的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有优异的电气特性和可靠性。它广泛应用于各种低功耗和中等功率的电子设备中,例如开关电源、低通道驱动电路和信号放大器。这款MOSFET的工作电压高达60V,漏极电流可达115mA,适合各种电子应用场合。
电气特性:
封装与机械特性:
功率及散热:
驱动电压:
输入电容:
2N7002-T1-GE3 的应用非常广泛,主要包括以下几个方面:
2N7002-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其60V的击穿电压、115mA 的连续漏极电流及多种优良的电气和机械特性,适用于广泛的电子应用。其小巧的封装和低功耗特性使得它成为现代电子设计中的重要组成部分,特别是在对尺寸和能效均有严格要求的设计中表现出色。VISHAY(威世)的这一产品以其优秀的品质和可靠的性能,已成为多个行业的重要选择。