晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@0.1A,3V | 特征频率(fT) | 180MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 500nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@0.5A,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
2SB1198KT146R 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),其设计专为高频开关和放大应用而优化。该器件以其出色的电气性能和宽广的工作温度范围,在消费电子、通信设备及工业控制等多个领域中得到广泛应用。此晶体管由全球知名的半导体制造商ROHM(罗姆)生产,确保了其高度可靠性和优越的性能。
额定功率与集电极电流:该器件的额定功率为200mW,能够承受的最大集电极电流(Ic)为500mA。这使其适用于需要中等功率的驱动和放大电路。
集射极击穿电压:2SB1198KT146R的集射极击穿电压(Vce)为80V,意味着它可以在较高电压的环境中工作而不发生击穿,增强了设计的灵活性。
饱和电压和电流增益:在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)情况下,该器件的最大饱和压降为500mV。这对于高效开关电路至关重要。其DC电流增益(hFE)在100mA和3V时的最小值为180,意味着在低输入电流的情况下,能够实现较高的输出电流,为放大应用提供了强大的支持。
截止电流:在集电极截止状态下,最大集电极截止电流(ICBO)为500nA,这为低功耗应用提供了可靠的性能。
频率响应与温度特性:该器件的频率跃迁达到180MHz,显示出良好的高频性能,适合高速应用。同时,工作温度范围高达150°C(TJ),使其在严苛环境中也能稳定工作。
封装与安装类型:2SB1198KT146R采用表面贴装型(SMT)封装,符合TO-236-3(SOT-23-3)的标准,有利于自动化生产和高度密集的电路设计。
2SB1198KT146R适用于多种应用场景:
在选择和使用2SB1198KT146R时,设计工程师需对其工作环境、电流和电压需求进行详细分析,以确保其在设计中发挥最佳性能。此外,由于其高工作温度极限,适合在高温环境中工作的设备。
2SB1198KT146R凭借其优异的电流与电压特性、卓越的频率响应以及可靠的工作温度范围,是一款理想的PNP型三极管。其设计和制造均满足现代电子产品对高性能和小型化的需求,为各类应用提供强大的支持。无论是在消费电子、通信还是工业控制领域,2SB1198KT146R都展现出其价值,是工程师不可或缺的选择。