集电极电流Ic | 150mA | 额定功率 | 200mW |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 180MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SMT3 |
2SC2412KT146Q是一款由ROHM(罗姆)公司制造的NPN晶体管,具有高性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中。该器件的主要参数如下:
该晶体管采用表面贴装形式,封装类型为TO-236-3、SC-59和SOT-23-3,适用于自动化贴片设备。
2SC2412KT146Q主要应用于信号处理、开关电路以及小功率放大器等领域。凭借其较高的工作频率(180MHz),该器件尤其适合用于高频应用,如RF放大器及无线通信设备。此外,由于其较低的集电极截止电流(ICBO)和饱和压降,这款器件在低功耗电路中表现优异,适用于电池供电的便携设备。
高工作频率:180MHz的跃迁频率使得该器件能够在高速开关应用中有效工作,提升了电路的响应速度和效率。
低饱和压降:在5mA和50mA的工作状态下,Vce饱和压降最高为400mV,这减少了在开关状态下的功耗,提升了整体能效,非常适合用于低功耗应用。
卓越的DC电流增益:典型的hFE值为120,确保在相对较小的基极电流下能够控制较大的集电极电流,极大地提高了设备的增益性能。
可靠的工作温度范围:该器件的最高工作温度为150°C,适合在高温环境下稳定运行,增加了其应用场合的灵活性。
小型封装:采用SOT-346封装,充分满足现代电子设备对空间的严苛要求,使得该产品容易集成到多种设备中,特别是超小型电子产品。
2SC2412KT146Q是ROHM公司提供的一款高性能NPN晶体管,凭借其卓越的电气特性和结构设计,适用于各种应用场景。无论是在开关电源、RF放大模块、还是高频信号处理电路,均能展现出优异的工作表现。同时,因其小型封装以及出色的热稳定性,适用于紧凑的设计布局,满足了当今电子行业对高效率、高可靠性的迫切需求。
在选择合适的晶体管时,2SC2412KT146Q凭借其兼具高功率和高频率特性,成为了工程师和产品设计师的理想选择,推动了更多创新电子产品的开发。通过了解其特性和应用,设计师可以高效地在其项目中加以利用,获得更佳的性能结果。