类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43mΩ@10V,3.8A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 285pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO3418是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),其设计针对多种应用场景,尤其适用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率开关的电路。这款MOSFET采用SOT-23-3封装,具有优秀的散热性能和小型化的优势,适合空间受限的电子设备。
AO3418特别适合以下应用:
AO3418作为一款最新技术的MOSFET,其设计充分考虑了现代电子电路对高效率和高集成度的需求。低导通电阻和适中的阈值电压使其在开关操作中具有非常好的瞬态响应,适合高频开关应用。同时,其优秀的热性能和功率管理特性确保在长时间工作下的可靠性,也让其在高负载和严苛环境下表现优异。
综上所述,AO3418是一款多功能、高效能的N沟道MOSFET,适合广泛的电子应用。凭借其出色的技术参数和灵活的应用范围,AO3418为工程师提供了极大的设计自由度,促进了产品性能的提升。无论是在开关电源、DC-DC转换器还是电机驱动应用中,AO3418都能为用户创造更大的价值。考虑到其功耗和空间优化的特性,AO3418无疑是现代电子设计中一个不可或缺的组件。