AO4822A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO4822A

商品编码: BM0000280209
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOIC-8L
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 8A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
3144(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
1.37
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.37
--
3000+
¥1.3
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4822A参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@4.5V,6A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.5nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)888pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)115pF@15V工作温度-55℃~+150℃

AO4822A手册

AO4822A概述

AO4822A 产品概述

基本信息概述

AO4822A是一款双N沟道场效应管(MOSFET),专为高性能开关和放大应用而设计。它的主要特性包括最高漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)可达到8A,确保了其在较高电压和电流环境中的稳定工作。同时,该器件具备较低的导通电阻(19mΩ),这使得它在导通状态下具有较小的功率损耗,从而提升了系统的整体效率。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 30V

    • AO4822A能够承受的最大漏源电压为30V,适用于多种低压和中压应用,如电源管理、LED驱动和电动机驱动等。
  2. 连续漏极电流(Id): 8A

    • 在25°C环境温度下,AO4822A可连续承载8A的电流,这为需要高电流功率驱动的电路提供了灵活性。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.4V @ 250µA

    • 栅源极阈值电压为2.4V,意味着该MOSFET在相对较低的栅压条件下即可开启,适合与低压驱动电路兼容使用,提高了电路的整体性能。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 19mΩ @ 8A, 10V

    • 在大电流条件下,AO4822A展现出极低的导通电阻,有效降低了在导通状态下的功耗,提升了热管理的性能。
  5. 最大功率耗散: 2W

    • 该器件的最大功率耗散为2W(在25°C时),可适应多种功耗限制的应用场景。

封装与应用

AO4822A采用SOIC-8L封装,这种小型化设计为现代电子产品提供了更好的空间利用率,尤其适合于嵌入式系统和密集型电路设计。SOIC封装在表面贴装设备中被广泛应用,便于自动化生产,提高了集成密度。

应用场景

由于其出色的电气特性,AO4822A广泛应用于以下场景:

  1. 电源管理: 在开关电源(SMPS)中用作高效的开关控制器,提高功率转换效率。
  2. LED驱动电源: 高效控制LED驱动电路的开关,降低功率损耗。
  3. 电动机驱动: 在直流电动机控制中,提供高效的开关功能,进行电机调速和控制,提升电机的响应能力。
  4. 负载开关: 可以用于控制各种负载的开关,特别是需要高电流负载的场合。
  5. 信号放大: 在低频(如音频)信号处理电路中也可以作为信号放大器,以提高信号的功率输出。

总结

AO4822A作为一种高性能双N沟道MOSFET,其卓越的参数使其在各种电子电路中表现出色。从电源管理到LED驱动,再到电动机控制,该MOSFET都能够满足当今电路对效率和性能的严苛要求。随着电子设备对轻量化、小型化及高效能的持续追求,AO4822A凭借其优异的性能将成为众多工程师在设计中的选择。图库与应用的不断扩展,也将确保AO4822A在未来的电子产品设计中占有一席之地。