类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 900mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@4.5V,0.9A |
功率(Pd) | 190mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.9nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 120pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 14pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:AO7800 MOSFET
AO7800是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),专为低压应用而设计,适合驱动高效能电源管理、电机控制和开关电路等多种技术领域。该产品以其出色的电气特性和紧凑的封装形式(SC-70-6L)在市场上脱颖而出,是电子设计工程师的理想选择。
AO7800的主要参数包括:
这些参数表明,AO7800在相对较低的电压下能够简化电路设计,并提供良好的功率效率,适用于中小功率模块的开发。
高效能导通特性:AO7800具有低导通电阻(300mΩ),这意味着在电流通过时所产生的功耗极低,有助于提高整个电源系统的效率。
低栅源阈值电压:其900mV的栅源阈值电压使得该MOSFET适用于更低驱动电压的应用,从而提高了其适用的灵活性和广泛性。
稳健的功率处理能力:能够承受高达300mW的功率耗散,这使得AO7800在高负载的推动下依然能够保持稳定的性能。
双N沟道设计:集成的双N沟道结构使得AO7800在功能上具有更高的集成度,适合用于需要多个开关的复杂电路。
紧凑的封装:SC-70-6L封装带来的小尺寸极大地节省了电路板空间,使得AO7800适合于空间受限的应用环境。
AO7800广泛应用于以下领域:
电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中,AO7800可以作为高效能开关控制器,提升功率转换效率。
电机驱动:由于其出色的开关特性,AO7800可用于直流电机驱动电路中,适合小型电动工具、家电和机器人等应用。
汽车电子:在汽车中用于各种控制和驱动电路,特别是在低功耗和高集成度的控制系统中。
消费电子:在智能手机、平板电脑以及其他便携式设备中,AO7800可用于电源管理和负载切换,优化设备的电力消耗。
AO7800 MOSFET凭借其卓越的低导通电阻、稳定的功率处理能力及灵活的电压范围,为设计工程师提供了一个高性价比的解决方案。它的小巧封装和双N沟道设计使其在多种电子应用中展现出优秀的性能,无论是在移动设备、汽车电子还是电源管理领域,AO7800都是一种值得信赖的选择。选择AO7800,您将获得高效率与可靠性的完美结合,为您的设计带来更多可能性。