AO7800 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

AO7800

商品编码: BM0000280214
品牌 : 
AOS
封装 : 
SC-70-6L
包装 : 
编带
重量 : 
0.036g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 300mW 20V 900mA 2个N沟道 SOT-363-6
库存 :
18719(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.853
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.853
--
200+
¥0.589
--
1500+
¥0.534
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO7800参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)900mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@4.5V,0.9A
功率(Pd)190mW阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.9nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)120pF
反向传输电容(Crss@Vds)14pF工作温度-55℃~+150℃

AO7800手册

AO7800概述

产品概述:AO7800 MOSFET

AO7800是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),专为低压应用而设计,适合驱动高效能电源管理、电机控制和开关电路等多种技术领域。该产品以其出色的电气特性和紧凑的封装形式(SC-70-6L)在市场上脱颖而出,是电子设计工程师的理想选择。

一、基本参数

AO7800的主要参数包括:

  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 连续漏极电流(Id,25°C时):900mA
  • 栅源极阈值电压:通常在900mV @ 250µA
  • 漏源导通电阻:300mΩ @ 900mA, 4.5V
  • 最大功率耗散:300mW(在环境温度25°C时)
  • 封装类型:SC-70-6L(SOT-363-6)

这些参数表明,AO7800在相对较低的电压下能够简化电路设计,并提供良好的功率效率,适用于中小功率模块的开发。

二、产品特性

  1. 高效能导通特性:AO7800具有低导通电阻(300mΩ),这意味着在电流通过时所产生的功耗极低,有助于提高整个电源系统的效率。

  2. 低栅源阈值电压:其900mV的栅源阈值电压使得该MOSFET适用于更低驱动电压的应用,从而提高了其适用的灵活性和广泛性。

  3. 稳健的功率处理能力:能够承受高达300mW的功率耗散,这使得AO7800在高负载的推动下依然能够保持稳定的性能。

  4. 双N沟道设计:集成的双N沟道结构使得AO7800在功能上具有更高的集成度,适合用于需要多个开关的复杂电路。

  5. 紧凑的封装:SC-70-6L封装带来的小尺寸极大地节省了电路板空间,使得AO7800适合于空间受限的应用环境。

三、应用场景

AO7800广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中,AO7800可以作为高效能开关控制器,提升功率转换效率。

  • 电机驱动:由于其出色的开关特性,AO7800可用于直流电机驱动电路中,适合小型电动工具、家电和机器人等应用。

  • 汽车电子:在汽车中用于各种控制和驱动电路,特别是在低功耗和高集成度的控制系统中。

  • 消费电子:在智能手机、平板电脑以及其他便携式设备中,AO7800可用于电源管理和负载切换,优化设备的电力消耗。

四、总结

AO7800 MOSFET凭借其卓越的低导通电阻、稳定的功率处理能力及灵活的电压范围,为设计工程师提供了一个高性价比的解决方案。它的小巧封装和双N沟道设计使其在多种电子应用中展现出优秀的性能,无论是在移动设备、汽车电子还是电源管理领域,AO7800都是一种值得信赖的选择。选择AO7800,您将获得高效率与可靠性的完美结合,为您的设计带来更多可能性。