BAS116-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS116-7-F

商品编码: BM0000280278
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
通用二极管 独立式 1.25V@150mA 85V 215mA SOT-23
库存 :
2752(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.112
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.112
--
3000+
¥0.0887
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS116-7-F参数

二极管配置独立式正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)85V整流电流215mA
反向电流(Ir)5nA@75V

BAS116-7-F手册

BAS116-7-F概述

BAS116-7-F 产品概述

BAS116-7-F 是由美台(DIODES)公司生产的一种标准表面贴装型二极管,封装形式为 SOT-23-3。这款二极管以其优异的电气性能和经济实惠的特点,广泛应用于各种电子电路中,其设计旨在满足现代电子设备对小型化、高效能和可靠性的需求。

基本特性
BAS116-7-F 的直流反向耐压(Vr)达到 85V,是其重要的参数之一,使其能在多种高压应用场景中稳定工作。其平均整流电流(Io)为 215mA,这意味着该二极管能够在一定负载下安全稳定工作而不会出现过热或失效的问题,对于需要整流功能的应用非常合适。

在正向电压降(Vf)方面,BAS116-7-F 在 150mA 时的正向压降为 1.25V,虽然在某些应用中会有所损失,但其电压降依然保持在可接受范围内,适合用于功率请求相对较低的电路中。对于反向泄漏电流特性,在 75V 时,反向泄漏电流仅为 5nA,这有效降低了在静态条件下的功耗,使其在低功耗应用中更加突出。

速度与恢复特性
该二极管具有标准恢复特性,其反向恢复时间(trr)为 3µs,速度指标达到 >500ns(在 200mA 时),展现出其在高频信号处理中的出色表现。这意味着 BSA116-7-F 在快速开关和高频应用中,能够有效减少电流和电压的瞬时变化,确保信号的准确传递和处理。

电容及其他特性
在电容特性方面,BAS116-7-F 在 0V、1MHz 时的电容值为 2pF,适合于高频电路设计,帮助降低返回信号的干扰和失真。其适用的工作温度范围广泛,从 -65°C 到 150°C,保证了它在极端环境下依然可以可靠工作,为设计人员提供了更大的灵活性,尤其是对于汽车电子和工业控制等要求相对苛刻的行业。

应用领域
BAS116-7-F 的多种优良特性赋予了它在多个领域的应用潜力。常见的应用场景包括但不限于:

  1. 整流电路:可用于电源适配器、直流转换器等场所。
  2. 信号二极管:适用于射频信号处理、电信设备中的保护与整流。
  3. 二极管保护:保护敏感组件免受高电压或高流的冲击。
  4. 自动化控制系统:在各种传感器与执行器之间的信号传递中,提供必要的电压保护。

封装与安装
BAS116-7-F 采用 SOT-23 封装,其小巧的体积和标准化的表面贴装形式使其方便在各种自动化生产线中进行高密度布置。该结构使得二极管的热耗散适中,提高了其在紧凑设计中使用的可能性。

总结
BAS116-7-F 是一款具备多项优越电子特性的通用型表面贴装二极管,其在电流、电压以及频率响应上的良好表现,适合广泛使用于多种电子应用场景中。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制系统,BAS116-7-F 都能提供可靠的性能并满足设计需求。通过其综合优势,这款二极管成为了现代电子设计中不可缺少的重要组成部分。