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BC817-25,215

- 商品编码: BM0000280303复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.024g复制
- 描述: 三极管(BJT) 250mW 45V 500mA NPN复制
BC817-25,215参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个NPN |
BC817-25,215手册
BC817-25,215概述
产品概述:BC817-25,215 NPN 晶体管
基本信息: BC817-25,215 是一款高性能的 NPN 型晶体管,广泛应用于功率放大、开关电路以及线性应用。其额定功率为 250mW,具有高达 45V 的集射极击穿电压(Vce),使其适用于多种中低电压的电子电路设计。该器件可承受最大集电极电流 (Ic) 为 500mA,适合驱动小型负载,因此在诸多工程与学术应用中均表现出色。
性能参数:
- 集电极电流 (Ic): 最大值为 500mA,确保在较高电流条件下的可靠性。
- 集射极击穿电压 (Vce): 具有 45V 的击穿电压,适合大多数中低压应用。
- Vce 饱和压降: 不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 下,Vce 饱和压降的最大值为 700mV,特别是在 50mA 和 500mA 的集电极电流下,为推动负载提供了更优的性能。
- 电流增益 (hFE): 该晶体管在100mA,1V的条件下最小 DC 电流增益可达到 160,确保在放大应用中的增益稳定性。
- 截止电流 (ICBO): 最大值为 100nA,指示在关断状态下的极低漏电流,提升了电路的整体能效。
- 频率响应: 具有高达 100MHz 的跃迁频率,适合高速开关应用。
环境与封装特性: BC817-25,215 采用 SOT-23-3 表面贴装封装设计,体积小巧,适合于现代电子设备中高密度布局。封装类型为 TO-236-3,符合多种工业标准,便于自动化焊接与装配。工作温度范围可高达 150°C (TJ),使其在苛刻环境下也能稳定工作,确保长时间的可靠性与耐久性。
应用场景: BC817-25,215 的广泛应用于多个领域,包括:
- 开关电路:用于控制电源或驱动继电器等作用设备,使其能够在微弱信号的情况下启动较大的负载。
- 音频放大器:在音频信号处理过程中,用作小信号的增益放大器,以提高音频信号的强度和质量。
- 信号处理:在各种电子设备中,结合其他元件实现信号的放大或开关控制,例如在传感器信号的前级处理电路中。
- 电源管理:可用于需要高效率的功率调节电路,提升电源转换效率,降低功耗。
质量与可靠性: 作为 Nexperia (安世) 旗下的产品,BC817-25,215 继承了其在半导体制造及研发领域的优良传统。产品经过严格测试,确保在各种工作条件下具备高度的可靠性与稳定性。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子等多个领域,BC817-25,215 都是一个值得信赖的选择。
总结: BC817-25,215 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,其高集电极电流及良好的频率特性赋予其在现代电子产品中的重要地位。凭借出色的电气性能与耐用的封装设计,BC817-25,215 为设计工程师提供了设计上的灵活性与可靠性,是构建各种电子应用的理想选择。
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