晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 600mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 160@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
产品概述:BC817DS,115
一、产品背景与应用
BC817DS,115 是一款由安世半导体(Nexperia)推出的高性能NPN型双极性晶体管(BJT)。该产品专为需要中等功率和高频率控制的电子应用而设计,能够满足大多数通用电子设备的关键需求。其主要应用领域包括开关电源、线性放大器、信号放大以及各类开关电路。
二、基本参数
三、技术特性解析
结构与封装
BC817DS,115 采用6-TSOP封装,其小巧的尺寸(1.5mm)使其适合高密度表面贴装应用。该封装不仅节省了板级空间,而且能有效减小信号传输时的干扰,提高整体电路性能。
高频特性
本产品的跃迁频率达到100MHz,这使得其在高频开关应用中的表现非常出色,适用于射频应用和数据传输线路中,能够有效降低信号延迟。
电流与电压特性
BC817DS,115 支持最大500mA的集电极电流及45V的集射极击穿电压,能够应对各种负载要求。在大电流工作时,Vce饱和压降控制在700mV以内,确保功率损耗最小化,提高效率。
高温工作性能
该元器件的工作温度高达150°C,适合于汽车电子、工业控制及其他高温环境中使用。其稳定性使得在严酷房地产中也能保持性能不变。
高增益
在100mA集电极电流下,BC817DS,115的最小直流电流增益(hFE)为160,这意味着可以使用较小的基极电流来控制较大的集电极电流,增强了电路设计的灵活性及可靠性。
四、应用实例
BC817DS,115 可广泛应用于各类电子设备和电路中。例如:
五、总结
BC817DS,115 是一款功能强大、性能优异的NPN型晶体管,具备广泛的适用性和高可靠性,适用于需要高效能、低功耗和简易集成的各种电子项目。无论是在家电、通信设备、汽车电子还是工业应用领域,该器件都能提供理想的解决方案,助力构建更为高效和可靠的电子产品。