晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 220@2.0mA,5V | 特征频率(fT) | 200MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 4uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BC856B-7-F是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),其设计强调了优异的电流增益以及较低的饱和压降,使其在多个电子应用中具有出色的性能表现。此款元器件主要由DIODES(美台)公司生产,采用SOT-23封装,适合显著节省空间的表面贴装设计。凭借其卓越的工作参数与稳定性,BC856B-7-F广泛应用于小信号放大器、开关电路以及其他线性和非线性电路中。
额定功率与电流
电压参数
电流增益
频率与温度
封装与安装
BC856B-7-F适宜运用在多种电子电路中,包括但不限于:
BC856B-7-F以其高额定功率、适中的集电极电流和宽广的工作温度范围,为各种电子设计需求提供灵活的解决方案。其高电流增益和低饱和压降特性,使其在高频和低功耗应用中表现出色。该晶体管的可靠性能与便捷的SOT-23表面贴装封装设计,使其在现代电子产品中十分受欢迎。无论是对于专业设计师,还是DIY爱好者,BC856B-7-F都是实现高效电路设计的理想选择。