BC857CW,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BC857CW,115

商品编码: BM0000280310
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-323
包装 : 
编带
重量 : 
0.038g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP SOT-323-3
库存 :
90462(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.341
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.341
--
200+
¥0.114
--
1500+
¥0.0712
--
3000+
¥0.0565
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC857CW,115参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)420@2mA,5V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)1nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,5mA
工作温度-65℃~+150℃

BC857CW,115手册

BC857CW,115概述

产品概述:BC857CW,115 三极管

基本信息

BC857CW是一款常见的PNP型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于信号放大和开关控制领域。通过其卓越的性能参数和紧凑的尺寸,该产品在商业和工业电子设计中得到广泛使用。BC857CW由安世半导体(Nexperia)制造,具有小型化的SC-70/SOT-323封装,能够适应多种表面贴装应用。

主要参数

  1. 额定功率:BC857CW的额定功率为200毫瓦(mW),使其在中小功率应用中表现出良好的稳定性和可靠性。

  2. 集电极电流(Ic):该晶体管的集电极电流最大值为100毫安(mA),非常适合低功率输出需求的电路设计。

  3. 集射极击穿电压(Vce):其最大的集射极击穿电压为45伏(V),确保在多种电源条件下的安全运行,防止器件被损坏。

  4. 饱和压降(Vce(sat)):在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,BC857CW的饱和压降最大为600毫伏(mV),在5mA和100mA条件下表现良好,这对于开关应用来说是一个重要的参数。

  5. 电流增益(hFE):在特定工作条件下(2mA,5V),该晶体管的DC电流增益(hFE)最小可以达到420,表明在相对较低的基极电流下能够获得较大的集电极电流。

  6. 截止电流(ICBO):该器件在集电极截止条件下的最大漏电流为15纳安(nA),确保了在非导通状态下的极低功耗。

  7. 频率响应:BC857CW的频率跃迁达到100MHz,使其在高频应用如射频放大器和开关电路中具备出色性能。

  8. 工作温度:该器件的最大结温可达150°C(TJ),适合于各种工作环境并有助于提高整机的热稳定性。

封装与安装

BC857CW采用的SOT-323封装(SC-70),其小巧轻便的特性,让其非常适合于空间受限的设计。表面贴装设计进一步简化了生产加工过程,提高了组装效率。

应用领域

BC857CW的设计使其非常适用于多种应用场合,包括但不限于:

  • 开关电路:由于其饱和压降低,适合用于高效的开关电路。
  • 信号放大器:在音频和视频设备中,BC857CW可以用来提升信号强度。
  • 电源管理:在电源开关和电源调节模块中,K857CW能够保证系统的稳定性与响应速度。
  • 传感器接口:在传感器信号处理和转换中,能够可靠地放大微小信号。

总结

作为一种高性能PNP晶体管,BC857CW在众多领域都具备广泛的应用潜力。其出色的电气特性、优良的温度性能以及适应性强的封装设计,使其成为设计师在开展电子项目时可以信赖的选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子,BC857CW都能提供稳定可靠的性能表现。