类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 170mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V,0.17A |
功率(Pd) | 300mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@1mA |
输入电容(Ciss@Vds) | 60pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: BSS123Q-7
类型: N沟道场效应管 (MOSFET)
功率: 300mW
额定电压: 100V
额定电流: 170mA
封装类型: SOT-23
品牌: DIODES(美台)
BSS123Q-7 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其主要应用于开关电源和小信号放大等电路中。其工作电压高达 100V,使其适合于多种中压电源和电子设备的应用。该器件的最大漏极电流为 170mA,意味着它可以在小型电路中有效地传输电流。
BSS123Q-7 采用 SOT-23 封装,这种封装形式具有引脚少、体积小、散热性能良好等特点,特别适合于空间有限的应用场合。SOT-23 封装的外形尺寸小巧,便于电路板布局,并且可以在自动贴片制造过程中高效地装配。
BSS123Q-7 广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:
BSS123Q-7 按照行业标准制造,其绝缘性能和可靠性在设计上都经过严格测试。其耐压能力高,具有较好的抗电击和热冲击性能,适合在恶劣环境中应用。此外,DIODES 作为著名的半导体元件制造商,提供了广泛的产品支持和技术文档,使得工程师可以更容易地集成此器件到其设计中。
综合来看,BSS123Q-7 是一款性价比极高的 N沟道 MOSFET,能够满足各种中低功率应用的需求。无论是在开关电源、信号处理还是电机控制等领域,其优良的电气性能和小巧的封装设计,使得它成为工程师们理想的选择。通过利用 BSS123Q-7,设计师能够在确保产品性能的同时,提高电子设备的整体效率和可靠性。