类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@8V,20A |
功率(Pd) | 55W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 850mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.5nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@12.5V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 69pF@12.5V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CSD16340Q3 是德州仪器(TI)推出的一款高性能 N 型 MOSFET,专为低电压、高功率、高效率的应用场景设计。该器件具有出色的导通性能与优良的热管理能力,适用于多种电子设备和系统,如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及其它要求高效率和小型化的应用。
FET 类型与技术
CSD16340Q3 属于 N 通道 MOSFET 系列,利用先进的金属氧化物半导体技术制造,优化了导通电阻和开启电压,从而提高开关效率和降低功耗。
电气参数
驱动电压与栅极参数
输入电容与功率耗散
温度范围与封装
CSD16340Q3 的特性使其适用于诸多应用场景,包括但不限于:
CSD16340Q3 因其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围及紧凑的封装设计,成为高效率电源解决方案的理想选择。德州仪器为这个产品赋予了出色的热性能和导通能力,使其在当前快速发展的电子市场中占据了一席之地。无论是在新一代的电源设计还是在要求严格的工业应用中,CSD16340Q3 都能为用户带来更高的效率与可靠性。