类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2.11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 195mΩ@4.5V,300mA |
功率(Pd) | 530mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 135.2pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述
DMN2300UFL4-7 是一款高性能的 N 通道场效应管(MOSFET),由美台半导体(Diodes)制造,专为低功耗、高效率的开关应用设计。这款 MOSFET 采用 X2-DFN1310-6 封装,具有出色的电气性能和热特性,适合在各种电子电路中提供可靠的开关控制。
主要规格
产品特点
高效率: DMN2300UFL4-7 的导通电阻较低,使其在开关控制过程中的能量损耗显著减少,从而提高了电源管理系统的整体效率。
宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,为其在极端环境中的应用提供了极大的灵活性,可以广泛应用于工业和汽车领域。
小型封装: X2-DFN1310-6 封装设计使得 DMN2300UFL4-7 在占用空间上具有显著优势,特别适合用于空间受限的电子产品。
快速开关速度: 由于其较低的输入电容和栅极电荷,该 MOSFET 能够实现快速的开关响应,适合高频和开关电源(SMPS)应用。
增强的安全性: 具有较高的漏极电流(Id)和漏源电压(Vdss)额定值,使得该 MOSFET 能够在复杂和严苛的电气环境中安全稳定运行。
应用场景
总结
DMN2300UFL4-7 以其优越的电气性能和灵活的工作特性,广泛适用于多个领域的电源管理和开关控制应用。其高效能和小型化设计,为现代电子产品提供了理想的解决方案,是电子工程师在设计高性能电源系统时的卓越选择。