类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 380mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@4.5V,380mA |
功率(Pd) | 380mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 32pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.4pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN62D0U-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计适用于多种电源管理和开关应用。采用 SOT-23 封装,具有优良的散热性能和紧凑的尺寸,使其在空间受限的应用中仍能高效工作。该器件的关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为 60V、连续漏极电流(Id)为 380mA,以及最大功率耗散达到 380mW,适合广泛的电子产品需求。
DMN62D0U-7 适合在消费电子、工业控制、电源管理、汽车电子和便携式设备中广泛使用。尤其在要求低功耗和高效率的应用场合,如开关电源(SMPS)、电动马达驱动电路和LED驱动等,是一种理想的选择。
DMN62D0U-7 是一款性能卓越、适应性强的 N 沟道 MOSFET。凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能,该器件为设计工程师提供了更高的灵活性和设计自由度。在选择电源管理和开关解决方案时,DMN62D0U-7 无疑是一个值得考虑的高效选择。考虑到其广泛的应用潜力和优良的性价比,DMN62D0U-7 是电气工程师在各种应用中必备的元器件之一。