DMP10H400SK3-13 产品实物图片
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DMP10H400SK3-13

商品编码: BM0000280454
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 42W 100V 9A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
4525(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.82
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.82
--
100+
¥1.4
--
1250+
¥1.22
--
2500+
¥1.15
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP10H400SK3-13参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)240mΩ@10V,5A
功率(Pd)42W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17.5nC输入电容(Ciss@Vds)1.239nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)28pF@25V工作温度-55℃~+150℃

DMP10H400SK3-13手册

DMP10H400SK3-13概述

DMP10H400SK3-13 产品概述

产品名称: DMP10H400SK3-13
类型: P沟道MOSFET
封装: TO-252(表面贴装型)
品牌: DIODES (美台)

一、产品特点

DMP10H400SK3-13是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),设计用于高效功率控制和开关应用。该产品能够在宽温工作范围内提供卓越的导通性能和高可靠性,适合多种电源管理和负载驱动的电路。

二、主要参数

  1. 导通电阻:

    • 在5A电流及10V栅极驱动下,最大导通电阻为240毫欧,这使得设备在工作时表现出较低的功耗和热量生成。
  2. 工作电流 (Id):

    • 此器件的连续漏极电流(Tc)为9A,适合处理中等负载的应用。
  3. 漏源电压(Vdss):

    • 器件可承受的最大漏源电压为100V,这拓展了其在不同电源电压条件下的应用范围。
  4. 栅极驱动电压:

    • 此MOSFET的驱动电压为4.5V到10V,确保在各种条件下稳定导通。
  5. 功率耗散:

    • 最大功率耗散能力为42W,这使得该器件能在高功率应用中保持较低的热积聚。
  6. 工作温度范围:

    • 产品工作温度范围从-55°C 到 150°C,适合各种恶劣环境下的应用。
  7. 输入电容 (Ciss):

    • 当漏源电压为25V时,最大输入电容为1239 pF,这有助于提高在快速开关应用中的响应速度。
  8. 栅极电荷 (Qg):

    • 栅极电荷最大值为17.5nC,配合合理的驱动电流设计,有助于提升开关效率。
  9. 阈值电压 (Vgs(th)):

    • 在250µA的测试条件下,漏源阈值电压最大值为3V,说明该器件能够在较低的栅极电压下可靠工作。

三、应用领域

DMP10H400SK3-13适用于自动化、工业电气、消费电子等多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 用于DC/DC转换器和电源开关,提供高效率的能量传输。
  • 电动机驱动器: 在低电压和高电流的电动机应用中表现出色,兼顾高效率和良好的温度特性。
  • LED驱动: 实现低额定功率同时确保LED长效稳定工作,降低散热问题。
  • 逆变器: 在太阳能、风能等可再生能源系统中担当重要角色,提供高效的功率转换。

四、总结

DMP10H400SK3-13作为一款高效的P沟道MOSFET,具备了许多突出的电气参数和机械性能,能够胜任各种高功率电源管理和负载驱动的应用。其优异的导通电阻、广泛的工作温度范围以及出色的功率耗散能力,使得该元器件特别适合在要求高效率和高可靠性的电气装置中使用。

通过选择DMP10H400SK3-13,工程师和设计师可以为他们的电气设计提供一种可靠且高效的解决方案,满足现代电子设备对功率和性能的高要求。