类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45Ω@2.5V,4.0A |
功率(Pd) | 810mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.61nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 145pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2035U-7是一款高性能的P沟道MOSFET,专为电源管理及模拟信号开关应用而设计。该器件具有20V的漏源电压(Vdss)和3.6A的连续漏极电流(Id),能够高效驱动负载,适用于各种电子设备的电源开关和负载开关场合。其小巧的SOT-23封装(TO-236-3 / SC-59)使得其在板级空间受限的应用中非常理想。
DMP2035U-7广泛应用于消费电子、便携式设备、汽车电子及工业控制等领域。以下是一些具体应用场景:
DMP2035U-7的栅极驱动电压要求较低,1.8V ~ 4.5V之间即可有效控制ON/OFF状态,适合与低电压控制器,微控制器(MCU)等设备配合使用。同时,最大8V的栅极电压稳定性确保了元件在电压波动条件下的可靠性。
该器件采用SOT-23封装,使其拥有较小的空间占用,适合表面贴装技术(SMT)。在高密度PCB设计中,DMP2035U-7的尺寸优势可以大大简化元器件布局。
总的来说,DMP2035U-7是一款多功能、高效能的P沟道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和宽泛的应用领域,成为设计师和工程师进行电源管理与开关控制时的理想选择。无论是消费电子还是工业应用,DMP2035U-7都能在满足严格电气要求的同时,提供出色的性能和效率。选择DMP2035U-7,助力电路设计的新思路与挑战。