DMP2038USS-13 产品实物图片
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DMP2038USS-13

商品编码: BM0000280456
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.128g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.5A 1个P沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.738
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.738
--
100+
¥0.492
--
1250+
¥0.446
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2038USS-13参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14.4nC输入电容(Ciss@Vds)1.496nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)116pF工作温度-55℃~+150℃

DMP2038USS-13手册

DMP2038USS-13概述

DMP2038USS-13 产品概述

1. 产品简介

DMP2038USS-13 是一款由 Diodes Inc.(美台)制造的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子电路中的电源开关和信号处理应用。这款器件采用表面贴装型封装,封装形式为 SO-8,具有良好的电流处理能力和小尺寸,有助于缩小电路板面积,提升设备的紧凑性。

2. 关键特性

  • 最大功率耗散: DMP2038USS-13 的最大功率耗散可达 2.5W(环境温度 Ta)使其在多种负载条件下稳定运行。
  • 漏极电流: 在额定条件下,连续漏极电流 (Id) 可达到 6.5A,适合中等功率的应用场合。
  • 漏源电压: 器件的漏源最大工作电压 (Vdss) 为 20V,适应多种电源管理应用。
  • 导通电阻: 在 5A 和 4.5V 的工作条件下,最大导通电阻 (Rds(on)) 仅为 38 毫欧,降低了功耗和发热,提升了效率。
  • 驱动电压范围: DMP2038USS-13 具备 2.5V 到 4.5V 的广泛驱动电压,能够在低电压条件下有效驱动,增强了应用灵活性。
  • 输入电容: 在 15V 的漏源电压下,输入电容 (Ciss) 的最大值为 1496pF,有助于降低开关损耗与提升开关速度。

3. 性能参数

  • 栅极电荷 (Qg): 栅极电荷在 4.5V 驱动电压下的最大值为 14.4nC,参数较小确保了MOSFET快速开关能力,有助于提高电源转换效率。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 不同漏极电流下,阈值电压的最大值为 1.1V(@ 250µA),确保器件在低电压下可以稳定启动。
  • 工作温度范围: DMP2038USS-13 在 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内,适应严苛环境条件,使其适合航空航天、汽车电子、工业控制等应用场景。

4. 应用场景

DMP2038USS-13 的设计特性使其广泛适用于以下应用:

  • 开关电源: 由于其良好的开关性能与高效能,适合用于降压转换器、升压转换器等领域。
  • 电动机控制: 在驱动电动机上下的各种控制电路中,该MOSFET可提供有效的电力开关和调节。
  • 负载开关: 适用于各种负载(如 LED 照明)控制、无线充电器和电池管理系统等。
  • 低压应用: 该器件的低导通电阻与低驱动电压的能力使其非常适合用于便携式设备和低功耗应用。

5. 总结

DMP2038USS-13 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备强大的电力管理功能与灵活的应用范围,其优良的导通特性和高温工作能力让它在各种现代电子产品中表现出色。无论是作为开关电源的一部分,还是在复杂的信号调节电路中,DMP2038USS-13 都能以高效、可靠的方式运行,是设计师在电源管理设计中的最佳选择之一。