
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
BAS16J,115

- 商品编码: BM0000280495复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SOD-323F复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.032g复制
- 描述: 开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 250mA复制
BAS16J,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 二极管配置 | 独立式 |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 整流电流 | 250mA |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 正向压降(Vf) | 1.25V@150mA |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 4A |
| 反向电流(Ir) | 500nA@80V |
| 反向恢复时间(Trr) | 4ns |
BAS16J,115手册
BAS16J,115概述
产品概述:BAS16J,115
一、产品简介
BAS16J,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高性能快速恢复开关二极管,具备优异的电气特性,适用于各种电子电路的整流、信号处理和开关应用。凭借其超低的反向恢复时间和高耐压特性,BAS16J,115 能够有效提升电路的响应速度和工作稳定性。
二、关键参数
反向恢复时间(trr): 4ns
- 该参数表示二极管从导通状态切换到截止状态时所需的时间,4ns的反向恢复时间能够满足现代高速电路的需求,减少信号的干扰。
直流反向耐压(Vr): 100V
- BAS16J,115 的最大反向耐压为100V,适合大多数中压电子应用,提供良好的安全边际以防止击穿。
平均整流电流(Io): 250mA
- 该二极管设计以承受最大250mA的平均整流电流,使其在一般电流条件下能可靠工作。
正向压降(Vf): 1.25V @ 150mA
- 1.25V的正向压降在150mA电流下相对较低,能够有效降低功率损耗,提高电能利用效率。
速度: 快速恢复 <= 500ns,> 200mA(Io)
- 对于高速开关应用,快速恢复特性可显著减少开关损失,提高系统效率。
反向泄漏电流: 500nA @ 80V
- 优异的反向泄漏特性确保在高压条件下不易产生大量泄漏电流,保障电路的稳定性和安全性。
电容特性: 1.5pF @ 0V,1MHz
- 在高频应用中,低电容特性体现了其信号传输的有效性,降低了传输延迟。
三、封装与安装
封装类型: SOD-323F
- 该元器件采用SOD-323F表面贴装封装,适合高密度电路的设计,支持自动化贴装,提高生产效率和可靠性。
安装类型: 表面贴装型
- 表面贴装设计为现代电路板设计师提供了灵活的布局选项,使得在紧凑型设计中能更好地利用空间。
四、工作环境
- 工作温度(结): 150°C(最大)
- 二极管在较高的结温下仍能保持良好性能,适用于高温环境中的电气设计。
五、应用场景
BAS16J,115 以其卓越的性能,广泛应用于以下领域:
- 开关电源: 在电源转换和整流电路中应用,提升效率和降低损耗。
- 信号处理电路: 用于高频信号的整流和开关,可以在无线通信、音频设备等领域中找到身影。
- 保护电路: 在汽车电子和消费电子中提供电路保护,防止过压和过流情况发生。
- RF应用: 适用于射频电路中,帮助实现高效的信号传输,减少信号失真。
六、总结
BAS16J,115 结合了高效能与高可靠性,是众多电子应用中不可或缺的元器件。Nexperia 的这一款快速恢复开关二极管,凭借其出色的电气参数和现代封装设计,适合于各类要求高性能的电气应用。无论是在开关电源、信号处理抑或高频应用中,BAS16J,115 都能以其优异的特性为设计提供出色的支持,是提升电路性能的理想选择。
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