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BAS16J,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS16J,115

商品编码: BM0000280495
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-323F
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
开关二极管 独立式 1.25V@150mA 100V 250mA SOD-323F
库存 :
60192(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.472
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.472
--
200+
¥0.157
--
1500+
¥0.0983
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS16J,115参数

反向恢复时间(trr)4ns直流反向耐压(Vr)100V
平均整流电流(Io)250mA正向压降(Vf)1.25V @ 150mA
二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流 (Io)250mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 150mA
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)4ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500nA @ 80V不同 Vr、F 时电容1.5pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-90,SOD-323F
供应商器件封装SOD-323F工作温度 - 结150°C(最大)

BAS16J,115手册

BAS16J,115概述

产品概述:BAS16J,115

一、产品简介

BAS16J,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高性能快速恢复开关二极管,具备优异的电气特性,适用于各种电子电路的整流、信号处理和开关应用。凭借其超低的反向恢复时间和高耐压特性,BAS16J,115 能够有效提升电路的响应速度和工作稳定性。

二、关键参数

  1. 反向恢复时间(trr): 4ns

    • 该参数表示二极管从导通状态切换到截止状态时所需的时间,4ns的反向恢复时间能够满足现代高速电路的需求,减少信号的干扰。
  2. 直流反向耐压(Vr): 100V

    • BAS16J,115 的最大反向耐压为100V,适合大多数中压电子应用,提供良好的安全边际以防止击穿。
  3. 平均整流电流(Io): 250mA

    • 该二极管设计以承受最大250mA的平均整流电流,使其在一般电流条件下能可靠工作。
  4. 正向压降(Vf): 1.25V @ 150mA

    • 1.25V的正向压降在150mA电流下相对较低,能够有效降低功率损耗,提高电能利用效率。
  5. 速度: 快速恢复 <= 500ns,> 200mA(Io)

    • 对于高速开关应用,快速恢复特性可显著减少开关损失,提高系统效率。
  6. 反向泄漏电流: 500nA @ 80V

    • 优异的反向泄漏特性确保在高压条件下不易产生大量泄漏电流,保障电路的稳定性和安全性。
  7. 电容特性: 1.5pF @ 0V,1MHz

    • 在高频应用中,低电容特性体现了其信号传输的有效性,降低了传输延迟。

三、封装与安装

  • 封装类型: SOD-323F

    • 该元器件采用SOD-323F表面贴装封装,适合高密度电路的设计,支持自动化贴装,提高生产效率和可靠性。
  • 安装类型: 表面贴装型

    • 表面贴装设计为现代电路板设计师提供了灵活的布局选项,使得在紧凑型设计中能更好地利用空间。

四、工作环境

  • 工作温度(结): 150°C(最大)
    • 二极管在较高的结温下仍能保持良好性能,适用于高温环境中的电气设计。

五、应用场景

BAS16J,115 以其卓越的性能,广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 在电源转换和整流电路中应用,提升效率和降低损耗。
  2. 信号处理电路: 用于高频信号的整流和开关,可以在无线通信、音频设备等领域中找到身影。
  3. 保护电路: 在汽车电子和消费电子中提供电路保护,防止过压和过流情况发生。
  4. RF应用: 适用于射频电路中,帮助实现高效的信号传输,减少信号失真。

六、总结

BAS16J,115 结合了高效能与高可靠性,是众多电子应用中不可或缺的元器件。Nexperia 的这一款快速恢复开关二极管,凭借其出色的电气参数和现代封装设计,适合于各类要求高性能的电气应用。无论是在开关电源、信号处理抑或高频应用中,BAS16J,115 都能以其优异的特性为设计提供出色的支持,是提升电路性能的理想选择。