反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 100V |
平均整流电流(Io) | 250mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 250mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 80V | 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-90,SOD-323F |
供应商器件封装 | SOD-323F | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
BAS16J,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高性能快速恢复开关二极管,具备优异的电气特性,适用于各种电子电路的整流、信号处理和开关应用。凭借其超低的反向恢复时间和高耐压特性,BAS16J,115 能够有效提升电路的响应速度和工作稳定性。
反向恢复时间(trr): 4ns
直流反向耐压(Vr): 100V
平均整流电流(Io): 250mA
正向压降(Vf): 1.25V @ 150mA
速度: 快速恢复 <= 500ns,> 200mA(Io)
反向泄漏电流: 500nA @ 80V
电容特性: 1.5pF @ 0V,1MHz
封装类型: SOD-323F
安装类型: 表面贴装型
BAS16J,115 以其卓越的性能,广泛应用于以下领域:
BAS16J,115 结合了高效能与高可靠性,是众多电子应用中不可或缺的元器件。Nexperia 的这一款快速恢复开关二极管,凭借其出色的电气参数和现代封装设计,适合于各类要求高性能的电气应用。无论是在开关电源、信号处理抑或高频应用中,BAS16J,115 都能以其优异的特性为设计提供出色的支持,是提升电路性能的理想选择。