
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 2个PNP |
BC857BS,115 是一款由安世半导体(Nexperia)生产的高性能 PNP型晶体管(BJT)。其设计应用于各种电子电路中,以实现信号放大和开关控制。该器件在小型 6-TSSOP 封装中提供了灵活的安装选项,适合表面贴装技术(SMT)的需求,从而大大提高了设备的小型化和集成度。
BC857BS,115晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要包括:
BC857BS,115 PNP型晶体管具有出色的电气性能与设计灵活性,具备以下优势:
BC857BS,115采用6-TSSOP封装,符合表面贴装技术(SMT)标准,适合现代PCB设计。该封装形式不仅可以减小电子产品的体积,还能提升其可靠性和散热能力。
整体而言,BC857BS,115是一款体积小、性能卓越的PNP晶体管,适合在各种电子设计中实现高效的信号处理与控制。凭借其出色的参数规格以及广泛的应用领域,它将为电子工程师提供更多设计自由度和灵活性。无论是用于音频放大、开关电源,还是其他需要高增益的应用场合,BC857BS,115都是理想的选择。