类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 320mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,300mA |
功率(Pd) | 260mW;830mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 800pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Ta) |
BSS138PW,115 是一款具有高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),主要应用于各种低功率开关和信号处理的电路。该器件的最大漏源电压为 60V,允许的连续漏极电流为 320mA,使其适合用于多个电子应用场景,包括开关电源、充电器、马达驱动和信号放大等。BSS138PW,115 的特性表现出色,非常适合现代电子设备对高效率和小型化的需求。
漏源电压(Vdss): 60V - 这表明该 MOSFET 能够在高电压环境下稳定工作,适合处理多种高电压应用。
连续漏极电流(Id): 320mA(25°C 时) - 该参数直接影响 MOSFET 在电路中的工作能力,320mA 的额定电流足以满足大多数普通负载的需求。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1.5V @ 250µA - 较低的阈值电压使得 BSS138PW 在较低的栅压条件下就能开启,更加方便轻负载控制。
漏源导通电阻(Rds(on)): 1.6Ω @ 300mA, 10V - 较低的导通电阻意味着在导通状态下能够有效降低功耗,并优化电路的效率。
最大功率耗散: 260mW(Ta=25°C),830mW(Tc)- 在不同温度下的功率耗散说明其适应环境的能力,在多个应用场景中保持良好的性能。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C - 宽广的工作温度范围让该 MOSFET 可以在极端的环境中可靠工作,适合军事、航空及极端工业应用。
封装形式: SOT-323 - 小型化的SOT-323封装使得该组件非常适合尺寸受限的电子设计,提供更好的电路密度。
输入电容(Ciss): 50pF @ 10V - 较小的输入电容有助于提高开关速度,并减少驱动信号的负担。
栅极电荷(Qg): 0.8nC @ 4.5V - 低栅极电荷支持快速开关特性,提高了开关频率性能,满足高频应用需求。
BSS138PW,115 被广泛应用于以下领域:
BSS138PW,115 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,整合了多项优良特性和宽广的应用范围。其能够在许多苛刻的工作环境中保持良好性能,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的组件之一。凭借其小型化的 SOT-323 封装与低功耗特性,无论是在消费电子还是在工业领域,BSS138PW,115 都展示了其强大的适应能力和应用潜力。