晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 110@2.0mA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC847AT-7-F是一款高性能NPN小信号三极管,由著名的DIODES(美台)公司制造,专为需要高效率与小型封装的电子设备而设计。该三极管具有150mW的额定功率、100mA的最大集电极电流及45V的最大集射极击穿电压,适合在多种应用场合中使用,尤其是在高频、小信号放大和开关控制领域。
额定功率:150mW
集电极电流 ((I_C)):最大值100mA
集射极击穿电压 ((V_{CE})):最大值45V
饱和压降:600mV @ 5mA,100mA
截止电流 ((I_{CBO})):最大值15nA
直流电流增益 ((h_{FE})):最小值110 @ 2mA,5V
频率特性:跃迁频率为100MHz
工作温度范围:-55°C ~ 150°C((T_J))
封装类型:SOT-523,表面贴装型
BC847AT-7-F的特性使其非常适合用于以下场景:
BC847AT-7-F是一款高效、功能强大的NPN三极管,具备优异的电气特性和广泛的应用领域。由于其小型化和高性能,该器件成为现代电子设备设计的理想选择。DIODES(美台)作为知名制造商,提供的品质保证及丰富的技术支持,使得BC847AT-7-F在市场上拥有良好的竞争力。在设计新一代电子产品时,BC847AT-7-F无疑是一个值得考虑的重要元件。