类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 10000@5V,100mA | 功率(Pd) | 1.3W |
集电极电流(Ic) | 500mA | 特征频率(fT) | 220MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@100mA,100uA |
BCV49,115是由Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能NPN达林顿型晶体管,主要用于信号放大和开关应用。作为达到高电流增益的达林顿结构,该晶体管的特性使其在面临各种电子设计中,尤其是在低电流控制高电流负载的场景时表现出色。其小巧的SOT-89封装和宽广的工作温度范围使得BCV49,115非常适合用于便携式设备、通信、电源管理以及其它需要高效率和小体积的电子系统中。
BCV49,115的高电流增益特性和宽广的电压范围使其在多个领域内有广泛的应用:
BCV49,115凭借巨大电流增益、高集电极电流和高工作温度的优势,相比于传统的单管NPN晶体管,更具竞争力。其超低的集电极截止电流和饱和压降也极大地增强了其在低功耗应用中的应用可行性。此外,SOT-89封装的选择为PCB设计提供了更高的灵活性,使得设计人员可以在设计时考虑更小的布局,有效提升产品的集成度和性能。
BCV49,115是一款高效、可靠的达林顿型NPN晶体管产品,其高电流增益、宽电压适应能力以及小巧的封装设计,使其在现代电子产品设计中成为不可或缺的组件。无论是用于信号放大还是开关控制,BCV49,115都能够提供卓越的性能表现,满足各种复杂应用需求,是工程师们在开发高效能电子设备时的重要选择。