晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 250mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@10uA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 50mV@10mA,0.25mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
BCX70H,215是一款高性能的NPN型晶体管,适用于各种电子应用,特别是在中等功率和高频信号处理场合。该器件由知名电子元器件制造商Nexperia(安世)出品,其采用SOT-23-3封装,便于在现代电子电路设计中实现紧凑布局。这款晶体管的额定功率为250mW,能够承受高达100mA的集电极电流(Ic)和45V的集射极击穿电压(Vce),确保在多样的工作条件下正常运行。
额定功率:250mW
该晶体管的额定功率使其适合于许多低功率电流增强应用,例如音频放大器、开关电路等。
集电极电流(Ic):最大100mA
高集电极电流承载能力使得BCX70H,215在大多数中等负载的电路中表现出色。
集射极击穿电压(Vce):最大45V
允许的高击穿电压为设备提供了更大的灵活性,使其可以在各种电压条件下工作。
饱和压降(Vce(sat)):最大550mV @ 1.25mA,50mA
在低电流操作下的饱和压降性能,为功率损耗和发热设计提供了优化的解决方案。
截止电流(ICBO):最大20nA
低的截止电流值意味着在无信号状态下,该晶体管的漏电流极小,适合制作高效低功耗的电子设备。
DC电流增益(hFE):最小180 @ 2mA,5V
DC电流增益的高值使得该器件在放大功能方面表现卓越,能够有效提升输入信号的强度。
工作频率:250MHz
该元器件的高频特性使其能够在高频通信应用中使用,例如调制解调器和射频放大器。
工作温度:最高150°C(TJ)
高工作温度范围也表明该元器件在极端条件下的耐受性,适合恶劣环境的应用。
封装类型:SOT-23-3
小型表面贴装封装(SMD)设计,使得BCX70H,215在现代PCB设计中易于集成和焊接,节省空间。
BCX70H,215的特性使其广泛应用于多个领域,包括但不限于:
音频放大器:高频率和低失真特性使得其非常适用于音响系统中的音频信号增强。
开关电源:可用作开关元件,在PWM控制电路中提供高效的电源管理功能。
无线通信:由于其优异的高频性能,适合用于RF放大器及相关无线通信设备。
电池驱动设备:低静态电流和高功率效率使其适合便携式电池供电设备,延长电池使用寿命。
传感器接口:在传感器信号处理中的应用中,由于其低噪声特性,可以有效提高信号的感知精度。
BCX70H,215是一款设定合理、性能卓越的NPN晶体管,能够满足现代电子产品对高效率、大功率、低功耗和高频响应的多元化需求。无论是在音频、通信还是电源管理领域,该三极管皆能充分发挥其优势,帮助设计师实现高性能电路的目标。其紧凑的封装与出色的电气特性,使其在竞争激烈的市场环境中具备了广泛的适用性和优良的性价比,是电子工程师和设计师们不容错过的重要选择。