BS250FTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BS250FTA

商品编码: BM0000280737
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.054g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 330mW 45V 90mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
2069(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.08
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.08
--
100+
¥1.66
--
750+
¥1.48
--
1500+
¥1.4
--
3000+
¥1.33
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BS250FTA参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)45V
连续漏极电流(Id)90mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14Ω@10V,200mA
功率(Pd)330mW阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)25pF@10V工作温度-55℃~+150℃

BS250FTA手册

BS250FTA概述

BS250FTA 产品概述

BS250FTA是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为各种电源管理和信号调节应用设计。该器件由知名品牌DIODES(美台)制造,采用SOT-23封装,适合表面贴装(SMD)应用,具有良好的热性能和可靠性。

主要特性

  1. **漏源电压(Vdss):**BS250FTA的漏源电压额定值为45V,使其能够在较高电压的环境中正常工作,适应多种电源电压条件。

  2. **连续漏极电流(Id):**在25°C的环境温度下,BS250FTA能够承受高达90mA的连续漏极电流,这使得它能够有效驱动较小负载而不会导致过热或损坏。

  3. **栅源极阈值电压(Vgs(th)):**该器件的栅源极阈值电压为最高3.5V(在1mA电流下),意味着该MOSFET可在较低的门电压下导通,适合于低电压驱动的应用。

  4. **漏源导通电阻(Rds On):**BS250FTA的漏源导通电阻在10V驱动电压和200mA漏电流下为14Ω,这使得器件在导通状态下具有较低的功耗,提高了能效以及减少了发热。

  5. **功率耗散能力:**该MOSFET的最大功率耗散能力为330mW(在25°C环境时),允许设计师在设计电路时有较大的灵活性,以确保器件在规定的工作温度范围内安全稳定地运行。

  6. **工作温度范围:**BS250FTA能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作,适合在严苛环境下的应用,如汽车电子、工业控制和航空航天等领域。

  7. **封装与安装型式:**BS250FTA采用SOT-23封装,具有紧凑的尺寸,方便在空间有限的电路板上使用。其表面贴装设计使得其便于自动化生产,提高了组装的效率和准时性。

  8. **电容特性:**在10V下,该器件的输入电容(Ciss)为最多25pF,这使得其在信号处理等高频应用中表现出色,减少了信号延迟和失真。

应用领域

由于BS250FTA具有适中的功率和工作温度范围,它在众多领域中都有广泛的应用:

  • 电源管理:用作电源开关和电源调节电路中的关键元器件,具有高效能和低热量释放的优点。
  • 汽车电子:特别适合用于汽车的电源调节和保护电路,如电动助力转向系统(EPS)、电动门控系统等。
  • 工业自动化:可在数控机床、工业机器人等设备中应用,帮助实现高效能和可靠的电源控制。
  • 消费电子:如智能手机、平板电脑和其它便携式设备中,作为开关和信号调节器件。

结论

综上所述,BS250FTA作为一款性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其高达45V的漏源电压、90mA的漏极电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,实现了在多种应用场景下的高效性能与稳定性。其紧凑的SOT-23封装和出色的热管理特性,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制领域,BS250FTA都能够满足设计师对高效能和稳定性的需求。