类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 56A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V,28A |
功率(Pd) | 96W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.8V@60uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.82nF@75V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@75V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
BSC160N15NS5是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道场效应晶体管(MOSFET),专为高效能电力转换和开关应用而设计。该器件具有超低的导通电阻和高的漏极电流承受能力,非常适合用于各种电力电子应用,包括但不限于DC-DC转换器、马达驱动、变频器及其他高频开关电源。
基本参数
性能特点
高效率
BSC160N15NS5采用的先进制造工艺,使其具备超低导通电阻(16mΩ),在高电流流过时能显著降低功耗和发热,从而提高系统的整体效率。
宽电压范围
最高可承受150V的漏源电压,使其适用于多个高压电源管理应用,具备足够的电压裕度以应对电源波动。
高电流承载能力
在25°C的情况下,该器件的连续漏极电流可达到56A,适用于需要大电流处理的电力系统,如电动机驱动和工业应用。
出色的热性能
96W的最大功率耗散能力使得该MOSFET能够在严苛环境中稳定工作。其TDSON-8封装设计优化了散热性能,确保器件在高负载下的可靠性。
灵活的工作参数
其栅源极阈值电压为4.6V,保证了所需的驱动电压较为灵活,适用于多种控制电路设计,并且可以方便地与其他元器件集成。
应用场景
BSC160N15NS5适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
总结
总体而言,BSC160N15NS5是一款高效率、高性能的N沟道MOSFET,凭借其优异的电气性能和热管理特性,使其在现代电力电子应用中占据了重要地位。无论是在通信、电动汽车、工业电源还是消费电子产品中,该器件都是设计师们可靠的选择,能够有效降低能耗并提升整体系统效率。