DDTB123YC-7-F
DDTB123YC-7-F参数
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@50mA,5V |
| 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@20mA,0.3V |
| 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTB123YC-7-F手册
DDTB123YC-7-F概述
DDTB123YC-7-F 产品概述
概要
DDTB123YC-7-F是一款高性能的PNP型数字晶体管，适用于广泛的电子应用场景。它具有优良的电气特性和高频响应，能够满足现代电路对信号放大和开关的高需求。这款晶体管的封装为SOT-23，即TO-236-3和SC-59，表明其为表面贴装型，便于自动化焊接和节省板上空间。
关键特性
高集电极电流（Ic）：该晶体管的最大集电极电流可达500mA，使其能够在多种负载条件下运行，适合大多数中小功率控制应用。
集射极击穿电压（Vce）：具有50V的Vce，使得该器件能够在较高的电压工作条件下稳定地工作，符合大多数电子系统的要求。
功率处理能力：额定功率为200mW，使其适用于各种功率敏感型应用。
高经典增益：在典型的工作条件下，器件提供最小DC电流增益（hFE）为56 @ 50mA，5V，这意味着在适当的驱动信号后，可以实现较高的信号放大效果。
较低的饱和压降：在饱和状态下的最大Vce饱和压降为300mV，显示出良好的导通性能。这一特性使得DDTB123YC-7-F在低功耗应用中尤为出色。
高截止电流：最大集电极截止电流仅为500nA，这在低功耗应用中是一个重要的指标，意味着在非导通状态下，该器件的漏电流极低，有利于延长电池寿命。
高频性能：频率跃迁为200MHz，使得该晶体管在高频应用中有效，适合用于射频和高速数字电路设计。
预偏置设计：作为一款预偏置晶体管，DDTB123YC-7-F允许在不需要外部偏置电阻的情况下进行高效驱动。这使得设计过程更加简单，有助于减小板上布局。
应用领域
DDTB123YC-7-F的设计使其适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 音频放大：作为音频信号放大的前端，提供稳定的增益。
- 开关电源：用于低功率开关电源中的输出调节，实现高效能量转换。
- 射频放大器：在高频RF应用中，该器件可以作为低噪声放大器使用。
- 数字电路：由于其优越的开关性能，该产品可用于数字逻辑电路的信号放大和开关功能。
- 电池供电设备：在便携式设备中，极低的漏电流表现可以显著延长电池寿命。
封装和安装方式
DDTB123YC-7-F采用了SOT-23封装，这种紧凑的表面贴装设计不仅降低了生产成本，同时也减少了空间占用，适合于现代电子设备的小型化设计。该封装便于自动化装贴，提升了生产效率。
总结
结合出色的参数特性与广泛的应用选项，DDTB123YC-7-F是电子设计工程师和开发人员理想的选择。凭借其高集电极电流、低饱和压降和高频特性，DDTB123YC-7-F能够显著提升电子设备的性能与可靠性。同时，预偏置设计和优秀的封装形式，为现代电子产品提供了更多的设计灵活性。选择DDTB123YC-7-F，将为您的项目提供强有力的支持。