类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 900mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@4.5V,0.7A |
功率(Pd) | 400mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 500pC | 输入电容(Ciss@Vds) | 37pF@16V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.2pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
DMN2400UFD-7 是一款高性能的N沟道MOSFET,属于DIODES(美台)品牌。其主要特性包括低漏源导通电阻、宽工作温度范围及高功率处理能力,使其在各种电子应用中都表现出色。这款MOSFET特别适合用于低电压、高电流的开关电路及线性调节器等领域,充分满足现代电子设备对能效和尺寸的高要求。
主要参数
封装与安装
DMN2400UFD-7采用X1-DFN1212-3封装,尺寸为3-UDFN,具有表面贴装性质。这种封装形式不仅减小了占用空间,还提供更好的散热性能,适合在高密度电路板设计中使用。此外,表面贴装技术(SMT)也使自动化生产与组装变得更加高效、灵活。
应用领域
DMN2400UFD-7广泛适用于以下几类应用:
竞争优势
DMN2400UFD-7相比于市场上的同类产品,展现出更低的导通电阻和较低的栅极驱动电压,这使得它在能效和响应速度上具备显著优势。此外,较宽的工作温度范围及小巧的封装设计使其能够在更为苛刻的工业环境下正常工作,为设计工程师提供了极大的灵活性。
总结
总体来说,DMN2400UFD-7是一款功能强大、效率高、适用广泛的N沟道MOSFET,秉承了DIODES(美台)一贯的高品质标准和创新精神。无论是在电源管理、电机控制还是LED驱动等应用场景中,该产品都能成为设计师的理想选择,助力推动各类电子设备的高效能与小型化。