DMN2450UFD-7
DMN2450UFD-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 600mΩ@4.5V,0.9A |
| 功率(Pd) | 450mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 700pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 52pF@16V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.1pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2450UFD-7手册
DMN2450UFD-7概述
DMN2450UFD-7 产品概述
一、产品简介
DMN2450UFD-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有优越的导电特性和高效的开关性能，广泛应用于各种电子设备的电源管理和信号处理应用。作为 DIODES（美台）品牌的优秀产品，DMN2450UFD-7 集成了众多先进的技术特点，满足现代电子产品对功耗、性能以及可靠性的要求。
二、技术规格
安装类型: DMN2450UFD-7 采用表面贴装型（SMD），便于自动化贴装，适合于大规模生产。
导通电阻（Rds(on)）: 该 MOSFET 在不同的栅源电压（Vgs）下具有良好的导通电阻特性。最大导通电阻为 600 毫欧，在 4.5V 和 200mA 条件下测试，这意味着在正常工作条件下，能够实现较低的功耗与热损失。
驱动电压: MOSFET 具有较宽的驱动电压范围，最小导通电压为 1.5V，最大为 4.5V，这为各种驱动电路的设计提供了灵活性。
连续漏极电流（Id）: 该器件在 25°C 环境下的连续漏极电流最高可达 900mA，表明其在持续高负载下具备良好的稳定性。
漏源电压（Vdss）: 最大漏源电压为 20V，适合用于低压应用场景。
功率耗散: 最大功率耗散值为 400mW（在规定环境温度下），确保器件在承受额定电流时不会因发热而损坏。
工作温度范围: 产品的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合于高温或极端环境下的应用。
输入电容（Ciss）: 输入电容在 16V 条件下最大值为 52pF，具备良好的开关性能，能够快速响应。
栅极电荷（Qg）: 栅极电荷最大为 0.7nC（在 4.5V 时），表明其驱动能力强，适合快速开关电路。
三、应用场景
DMN2450UFD-7 由于其优异的特性，可以应用于以下领域：
电源管理: 在各种电源转换器和稳压电源中，DMN2450UFD-7 能够有效地控制电流流动，降低转换损耗。
开关电源: 其快速开关特性使其在开关电源设计中表现出色，提高了效率并减少了系统的电磁干扰（EMI）。
低功耗设备: 由于其超低的导通电阻和出色的热性能，非常适合用于移动设备、可穿戴设备和其他对功耗要求极高的应用。
汽车电子: 在汽车电子控制模块中，能够在高温环境和高电流条件下保持稳定性能，确保系统的安全与可靠运行。
四、总结
DMN2450UFD-7 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高耐压和优良的开关特性，成为了电子工程师在电源管理、开关电源及低功耗设备设计中的理想选择。其宽广的工作温度范围和小巧的封装设计，满足了现代电子产品对于性能、可靠性和空间的多重要求。无论在工业应用还是消费电子中，DMN2450UFD-7 都能够提供稳定的性能表现，是提升系统效率的重要元器件。