类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@1.8V,5.4A |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.55nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 145pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2016LHAB-7 是一款由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产的双 N 沟道场效应晶体管 (MOSFET)。随着现代电子设备对功率管理和节能要求的不断提高,这款器件广泛用于开关电源、直流-直流转换器、马达驱动和其他低电压应用领域。其能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,是高效能电路设计的理想选择。
电流承载能力与导通电阻
DMN2016LHAB-7 在 25°C 条件下可承受最高 7.5A 的连续漏极电流,结合其低导通电阻(15.5mΩ @ 4A, 4.5V),能够有效减少功率损耗,提升电源效率。这使得该器件在高电流密度应用中表现出色,尤其适用于高频开关电源。
栅源极阈值电压
该产品具有相对较低的栅源极阈值电压(1.1V @ 250µA),适合逻辑电平驱动,使得它可以与微控制器和其他逻辑电路无缝匹配,简化了驱动电路的设计,并降低了系统功耗。
高温环境中的可靠性
DMN2016LHAB-7 的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 150°C,适合在恶劣的环境条件下工作。这一特性特别适合航空航天、汽车等需要高可靠性的应用场合。
紧凑的封装设计
采用 U-DFN2030-6 封装,器件尺寸小,焊盘裸露设计有助于实现更好的热管理和电源密度。这种紧凑的封装设计使得 DMN2016LHAB-7 能够在空间有限的应用中发挥重要作用。
DMN2016LHAB-7 的广泛应用包括但不限于:
总的来说,DMN2016LHAB-7 以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和小巧的封装设计,成为众多电子设计师和工程师值得信赖的选择。该 MOSFET 完美结合了高效能与灵活性,为各种现代电子应用提供了可靠的解决方案。其在高电流开关应用中的突出表现,使其在市场中具有强大的竞争力,是追求性能与效率的理想器件。