DMN2020LSN-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@2.5V,8.3A |
| 功率(Pd) | 610mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.149nF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 142pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2020LSN-7手册
DMN2020LSN-7概述
产品概述：DMN2020LSN-7
DMN2020LSN-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造，专为高效电源管理和开关应用设计。该元器件采用表面贴装型（SMD）封装，型号为 SC-59-3，具有高度的集成度和可靠性，适用于各类电子设备，包括智能手机、平板电脑、电视和其他消费电子产品。
关键特性：
导通电阻（Rds(on)）: 在特定条件下，DMN2020LSN-7 的导通电阻最高可达 20 毫欧（@ 9.4A，4.5V），显示出其在低电阻值方面的出色性能。这一特性使得器件在导通时能够有效降低功耗，提高整体效率，特别适合高电流应用。
驱动电压: 该 MOSFET 的驱动电压范围为 2.5V 至 4.5V，这意味着在较低的门极电压下，器件仍能实现良好的导通性能，非常适合低电压驱动的应用场景。
高温性能: 工作温度范围广 (-55°C 至 150°C) 使得 DMN2020LSN-7 能够在极端温度条件下稳定工作，这对于军用、工业和汽车应用尤其重要。
电流能力: 在 25°C 的环境条件下，该 MOSFET 的连续漏极电流可达 6.9A，这使其能够在多种应用中提供必要的电流支持。此外，漏源电压（Vdss）高达 20V，支持中等电压电路设计。
输入电容和栅极电荷: DMN2020LSN-7 在不同 Vds 下的输入电容 (Ciss) 最大值为 1149pF，而在 Vgs 为 4.5V 时的栅极电荷 (Qg) 最大值为 11.6nC。这些参数显示出在高频开关应用中的出色特性，确保快速的开关响应，不会引入过多延迟。
阈值电压: 不同 Id 时的 Vgs(th) 最大值为 1.5V（@ 250µA），表明该 MOSFET 在较低的输入电压下便可以启动，从而提高了整体电路的灵活性。
功率耗散: 最大功率耗散为 610mW（@ Ta），确保在高负载条件下器件能够高效工作，防止由于温度过高而导致的损坏。
应用场景：
由于其独特的特性，DMN2020LSN-7 广泛应用于各种需要高效率和高功率管理的电子设备中。以下是一些典型的应用场景：
- 电源管理: 适用于电源开关、直流-直流转换器和高效率电源模块。
- 电机驱动: 在电机驱动电路中作为开关器件，提供高效的控制性能。
- 消费电子: 在智能手机、平板电脑和移动设备等消费电子中，确保有效的能量管理。
- 汽车应用: 其宽工作温度范围和高可靠性使其适合在汽车电子和电气系统中使用。
结论：
DMN2020LSN-7 代表了高性能 MOSFET 的领先技术。凭借其出色的导通电阻、较宽的工作温度范围及高电流承载能力，使其成为各种现代电子应用的理想选择。设计工程师可以凭借其卓越的性能和可靠性，在多种电源管理和平衡负载的场合中自信地使用这一元器件。