DMN2023UCB4-7

产品概述：DMN2023UCB4-7

概述

DMN2023UCB4-7 是由美台（DIODES）公司推出的一款高性能的双 N 沟道 MOSFET，专为各种电子设备的应用而设计，特别适用于需要高效能和高称重能力的场合。此器件采用 4-XFBGA 和 WLBGA 封装形式，结合其优良的电气特性，被广泛应用于电源管理、开关电源及其他高频、高速开关场合。

主要参数

• FET类型：双 N 沟道共漏配置
• 封装/外壳：4-XFBGA，WLBGA
• 安装类型：表面贴装 (SMT)
• 漏源电压 (Vdss)：24V
• 连续漏极电流 (Id)：6A (在 25°C 时)
• 栅电压阈值 (Vgs(th))：1.3V @ 1mA（最大值）
• 栅极电荷 (Qg)：37nC @ 4.5V（最大值）
• 输入电容 (Ciss)：3333pF @ 10V（最大值）
• 功率：1.45W（最大值）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C

性能特征

DMN2023UCB4-7 的设计使其在高频开关和高电流负载等场景中表现出色。其共漏结构有效减小了开关损耗，改善了效率。同时，该器件的最大漏极电流为 6A，能够满足多种实际应用需求。无论是电源设计，还是高性能计算，DMN2023UCB4-7 都能提供可靠的性能支持。

该产品的栅电压阈值（Vgs(th)）最大值为 1.3V，在较低的驱动电压下便能有效开启，提高了电源的能效和系统的稳定性。栅极电荷（Qg）的值为 37nC，使其在高频条件下仍能够迅速响应，从而降低了开关时延，提高了效率。

应用场景

1. 电源管理：DMN2023UCB4-7 可用于 DC-DC 转换器和其他电源管理应用，通过高效的开关性能有效提升系统能效。
2. 高频开关应用：在需要快速开关的低电压高电流环境中，这款 MOSFET 的性能可以显著提高开关速度，减少热量产生。
3. 电机驱动：在电机驱动电路中，其高电流能力和低导通电阻使其成为理想选择，支持较高的驱动电流。
4. LED 照明：在 LED 驱动和调光应用中，由于其精确的开关状态控制，能够有效管理 LED 的工作状态，提高能效。

总结

DMN2023UCB4-7 是一款设计精良、性能卓越的双 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和可靠的工作温度范围，适用于广泛的电子应用。无论是在电源管理、电机驱动还是其他高频应用场合，其高效能和稳定性都能为设计师提供极大的便利，为电子设备带来更高的性能和效能选择。选择 DMN2023UCB4-7，助力您的项目实现更好的电源效率和更低的能耗。