DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7 产品概述

概述

DMN55D0UT-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为应用于各种电子设备而设计，具备优异的电流承载能力和低导通电阻特性。该器件的核心性能参数包括最大漏源电压 Vdss 为 50V、连续漏极电流 Id 为 160mA以及最大功率耗散可达 200mW。其封装类型为 SOT-523，这使得 DMN55D0UT-7 非常适合空间受限的应用，同时其良好的散热性能使其在高温环境下工作更加稳定。

主要特性

1. 电气特性:

   • 漏源电压 (Vdss): DMN55D0UT-7 的最大漏源电压为 50V，允许它在高电压的环境中稳定工作。
   • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下的连续漏极电流为 160mA，能够承担较大的负载电流，满足多种电流驱动需求。
   • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 对于 250μA 的电流，栅源阈值电压最低可达到 1V，提供了良好的开启性能。
   • 导通电阻 (Rds(on)): 在 100mA 和 4V 的条件下，导通电阻最大为 4Ω，这一低值保证了在导通状态下电流的高效传输。

2. 功率处理:

   • 功率耗散 (Pd): 在 25°C 的条件下，DMN55D0UT-7 的最大功率耗散达到 200mW，适合低功耗电路的需求。
   • 温度范围: 器件可在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内正常工作，适合多种极端温度环境。

3. 输入和输出性能:

   • 输入电容 (Ciss): 在 10V 条件下，输入电容最大值仅为 25pF，适合高速开关应用。
   • 驱动电压: 器件的驱动电压要求为 2.5V 到 4V，在这一电压范围内均可实现最优导通性能，方便与多种控制电路配合效率运行。

4. 封装和安装:

   • 封装类型: SOT-523 表面贴装型封装，适合自动化生产线的用途，能够有效减少组装空间及提高生产效率。
   • 安装便捷性: 表面贴装设计使得器件在印刷电路板上的布局更加灵活，助于产品的小型化和重量轻量化。

应用场景

DMN55D0UT-7 N 通道 MOSFET 适用于宽范围的应用场景，包括但不限于：

• 开关电源: 适合在开关电源中的功率控制，提供稳压电源解决方案。
• 电机驱动: 用于小型电机控制电路的驱动，满足高效率的电流控制需求。
• 负载开关: 可用于低功耗负载开关，支持家电和消费电子设备的控制。
• 信号调节: 在信号处理和调制解调器设备中实现高频率信号的开关与调节。

总结

DMN55D0UT-7 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能、广泛的工作温度和小巧的封装格式，为各种电子设备提供了理想的开关和调节解决方案。无论是在工业、消费类电子产品还是高科技设备中，DMN55D0UT-7 都能有效提升系统的性能与可靠性。选用 DMN55D0UT-7 将会是实现高效电路设计的明智之选。