类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 66mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 1.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.3nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 502pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 27.1pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN6066SSD-13是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子应用而设计,具备优异的电气特性和可靠性。该产品由美台(DIODES)公司出品,广泛应用于功率管理、电源转换、开关电源、LED驱动以及各种需要高频开关的场合。
电压和电流规格:
导通电阻和功率耗散:
工作温度和封装:
栅极特性:
电容特性:
DMN6066SSD-13适用于广泛的应用领域,具体包括:
总的来看,DMN6066SSD-13是一款性价比高、性能优越的双N沟道MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻和较大的工作温度范围,广泛适用于各类电子产品设计中。无论是在功率管理、电动机控制还是LED驱动等领域,DMN6066SSD-13都能够提供可靠的性能和卓越的效率,是设计师和工程师的理想选择。