类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@4.5V,2.0A |
功率(Pd) | 250mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 320pF@16V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2240UW-7 是一种高性能的 P 通道 MOSFET,广泛应用于电子设备中,具备优良的开关特性和低导通损耗。该器件由美台半导体(Diodes Incorporated)生产,封装类型为 SOT-323,适合表面贴装应用。其独特的特性使其成为功率管理、开关电源以及各种模拟电路的理想选择。
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压为 20V,适用于低电压环境下的应用。这一电压范围使其特别适合于移动设备、电池供电的产品以及快速开关应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,DMP2240UW-7 的连续漏极电流最大可达 1.5A。这种能力使其能够满足大部分功率输出要求,即使在相对小型的封装中。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 的栅源极阈值电压为 1V,意味着它在仅需微小的栅电压下即可开启。较低的阈值电压使得该器件非常适合浅栅电压驱动的电路。
导通电阻 (Rds(on)): DMP2240UW-7 的漏源导通电阻为 150mΩ(在 2A 和 4.5V 时),这使得器件在导通状态下的功耗非常低,提升了整体效率并减少了热量产生。
工作温度范围: DMP2240UW-7 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作,适合在严苛的环境条件下使用,尤其是在汽车电子和工业控制应用中。
最大功率耗散: 器件在 25°C 时的最大功率耗散为 250mW,确保其在正常工作条件下不会超出安全功耗范围。
封装类型: SOT-323 封装不仅小型化,便于在空间受限的应用中使用,还支持自动化贴片生产,提高了生产效率。
DMP2240UW-7 专为需要高效能与小型封装的应用而设计。主要应用场景包括但不限于:
便携设备: 如智能手机、平板电脑和手持设备等,能够有效控制电流与能量的分配。
电池驱动的应用: 支持锂电池管理系统,确保安全与高效的电源管理。
开关电源供应(PSU): 可用于 DC-DC 转换器及其他电源解决方案,优化能量使用与减少环境影响。
汽车电子: 自动驾驶系统或其他汽车智能控制系统,保障组件在高温环境下的稳定性。
工业控制: 在各种控制系统中提供可靠的开关与功率管理解决方案。
DMP2240UW-7 是一款出色的 P 通道 MOSFET,具有广泛的应用前景,其卓越的电气特性和耐高温性能使其成为现代电子设计的优选元件。无论是在便携式设备、汽车电子还是工业应用中,该 MOSFET 都能够提供卓越的性能与稳定性,助力设计工程师实现高效、可靠的电源管理解决方案。随着电子设备的不断发展,DMP2240UW-7 将继续在相关应用中展现其价值,推动技术进步。
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