类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 87A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 1.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 127nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.775nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 500pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP34M4SPS-13 是一款极具性能优势的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高效电源管理和开关应用而设计。该器件以其低导通电阻、优良的热管理性能和广泛的工作温度范围,成为电子设计工程师的首选组件之一。
安装类型:本产品采用表面贴装型(SMD)封装,方便在自动化生产线和测试中的应用。
导通电阻:在 20A 的工作电流和 10V 的栅极驱动电压下,其最大导通电阻(Rds On)仅为 3.8 毫欧。这一指标确保在工作过程中产生的能量损失最小化,提高整体效率。
驱动电压:对于最小和最大 Rds On,建议的驱动电压分别为 5V 和 10V,这使得该器件能够在多种不同的电路供应条件下稳定工作。
连续漏极电流(Id):该MOSFET的最大连续漏极电流为 135A,适合处理高电流的应用如电源管理和电机驱动。
漏源电压(Vdss):应用范围内的最大漏源电压为 30V,使得DMP34M4SPS-13适用于中低电压的应用场合。
功率耗散:在 25°C 的工作温度下,最大功耗为 1.5W,这一点对于热管理设计尤为重要。
工作温度范围:该器件的工作温度范围广泛,能够承受低至 -55°C 及高达 150°C 的环境温度,适合各种严酷环境下的应用。
输入电容(Ciss):在 15V 条件下的最大输入电容为 3775pF,较低的输入容量提升了开关效率,减少了驱动电路的功耗。
栅极电荷(Qg):在 10V 条件下,最大栅极电荷为 127nC,这对于控制精度和开关速度具有重要影响。
阈值电压(Vgs(th)):在 250µA 的漏电流条件下,阈值电压最大为 2.6V,适合在多个标准逻辑电平下的应用。
DMP34M4SPS-13 的特点使其在多个领域有着广泛的应用。它被广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、开关电源、马达驱动、LED 驱动,以及电池管理系统等。由于其高效性和可靠性,能够满足现代电子设备对功耗和热管理的需求。
高效性:低 Rds On 和低导通损耗确保器件在高负载条件下运行时的高效性,使其在电源转换过程中减少能量消耗。
温度可靠性:宽广的工作温度范围为产品在各种环境下的应用提供了保障,使其在工业、汽车以及消费电子中表现优异。
封装特性:PowerDI5060-8 封装不仅体积小且散热性好,适合空间有限的应用环境,同时便于自动化和批量生产。
应用多样性:DMP34M4SPS-13 的多个优越性能使其在多个高性能应用中均可发挥最大的优势,满足不同市场的需求。
DMP34M4SPS-13 是一种高效、可靠的 P 通道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和广泛的工作范围,非常适合高负载和苛刻环境下的应用。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,DMP34M4SPS-13 都是设计师在追求高性能解决方案时不可或缺的元器件之一。