类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@4.5V,1.5A |
功率(Pd) | 1.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.7nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 551pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 19.1pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP6250SE-13 是由知名厂商 DIODES(美台)推出的一款 P 沟道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),其具有优良的电性能和可靠性,广泛适用于负载开关、直流-直流转换器和其他电源管理应用。这款MOSFET设计简单,易于集成,是许多电子电路设计中必不可少的组件之一。
DMP6250SE-13 采用 SOT-223 封装,尺寸小巧,适合集成于空间有限的小型电路板上。SOT-223 封装具有良好的散热性能,满足其在高功率及高温工作环境下的散热需求。该器件的封装兼容性良好,可以方便地与其他表面贴装元件协同工作。
DMP6250SE-13 的应用场景包括但不限于:
dmp6250SE-13 MOSFET 具有高效能、低功耗和高温稳定性,这些优势使其在工业、汽车及消费电子等领域成为了理想选择。其低导通电阻的特性减少了能量损耗,能够提升系统效率,从而延长设备的使用寿命。此外,其小型化设计和高集成度使得开发者能够在设计中节省空间,并简化生产流程。
综上所述,DMP6250SE-13 是一款卓越的 P 沟道 MOSFET,适合广泛的应用需求,具有良好的性能与可靠性,是现代电子电路设计中不可或缺的重要组件。无论是在电源管理还是其他需要开关功能的场合,DMP6250SE-13 都能提供优质的解决方案。