晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1.3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 450V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 16@0.5A,2V | 特征频率(fT) | 4MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@1A,0.25A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述: DXT13003DG-13 是一款高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 表面贴装封装,主要用于高电压和高电流应用。该晶体管的集电极电流 (Ic) 最大值为 1.3A,集射极击穿电压 (Vce) 高达 450V,表现出卓越的电气性能和可靠性。其额定功率为 700mW,适合在各种电子设备中应用,尤其是在功率放大和开关电路中,对于电源管理、信号放大等场合尤其有效。
主要特性:
应用领域: DXT13003DG-13 广泛应用于多个电子设备的设计中,包括但不限于:
封装和安装: DXT13003DG-13 采用 SOT-223 表面贴装封装,紧凑且轻便,适合现代电子产品对小型化的需求,易于在自动化生产中进行贴装。其封装设计使得热管理效果良好,有助于提高芯片的工作效率和延长使用寿命。
总结: DXT13003DG-13 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,因其高集电极电压和电流能力、低饱和压降以及宽广的温度适应性,使其在现代电子产品中成为极具竞争力的选择。在电源电路和信号放大应用中,该器件能够提供可靠的性能和良好的能效,适应多种高效率的电子设计需求。无论是在工业环境还是在消费电子中,DXT13003DG-13 均能发挥其最大的优势,是设计人员值得信赖的电子元器件。