类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 1.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 350mΩ@10V,0.85A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@80V | 输入电容(Ciss@Vds) | 290pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FQT7N10LTF 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要应用于各种电子设备中,尤其是在需要高电压和中等电流的场合。这款 MOSFET 拥有100V 的漏源电压(Vdss)和持续达1.7A 的漏极电流(Id),在确保稳定工作的同时,能够满足现代电子产品对电源管理的高效要求。
FQT7N10LTF 采用表面贴装型封装 SOT-223-4,这种小型封装提升了其在电路板上的集成度,方便了自动化安装。同时,与 TO-261-4 和 TO-261AA 兼容,使其在不同的设计中具有良好的适应能力。
FQT7N10LTF 是一种非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他要求高电压和电流的开关应用的器件。其优良的电气性能使其在电动交通工具、可再生能源系统(如太阳能逆变器)和消费电子产品中都有广泛运用。
FQT7N10LTF 是一款在高电压和中等电流条件下表现优异的 N 通道 MOSFET。凭借其出色的导通电阻、稳定的工作性能和广泛的应用潜力,这款器件成为诸多电子设计师和工程师的首选,尤其是在对电源管理、信号开关以及其他电气控制系统有较高需求的场合。选用 FQT7N10LTF,您可以确保系统的高效和可靠。