晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@1A,2V | 特征频率(fT) | 1MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT751TA 是一款高性能的 PNP 晶体管,专为低功耗电子设备而设计,主要用于开关和放大应用。这款三极管的额定功率为 2W,具有高达 3A 的集电极电流能力,以及可承受 60V 的集射极击穿电压,使其成为许多中高功率电路的理想选择。FZT751TA 采用 SOT-223 封装,适合于表面贴装技术,方便集成于现代电子产品中。
额定功率与电流能力
电压规格
增益特性
频率特性
工作环境
结构与封装
FZT751TA 适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
开关电路:在电源管理模块、功率转换器和电机驱动中,作为开关器件提供高效率和快速响应。
放大器电路:作为信号放大元件,可用于音频放大、RF 传输和接收电路中。
消费者电子:在照明控制、家庭自动化和其他便携式电子设备中使用。
工业控制:适用于自动化设备和控制系统,支持高功率和长时间运行的需求。
高功率处理能力:相较于同类产品,FZT751TA 的 2W 额定功率和 3A 集电极电流能力使其在功率密集型应用中具有竞争力。
高频特性:140MHz 的频率跃迁使其适用于现代高频电路,较其他竞争产品时常有限制的频率特性更具优势。
宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度可以确保在多种严苛环境中的可靠性能,增加了应用的灵活性。
优异的电流增益:高达 100 的 DC 电流增益能够极大增强信号的放大效果,促使其在音频器件中表现更加突出。
FZT751TA 是一款性能卓越的 PNP 晶体管,适用于多种高功率和高频应用。凭借其优越的电气特性、可靠的工作温度范围及适应现代电子设备需求的 SOT-223 封装,FZT751TA 在市场中具备极高的性价比和使用灵活性。无论是在日趋复杂的消费电子,还是在要求严格的工业控制应用中,FZT751TA 都能满足设计工程师的期望,是您的理想选择。