驱动配置 | 低边;高边 | 负载类型 | MOSFET;IGBT |
驱动通道数 | 1 | 峰值灌电流 | 500mA |
峰值拉电流 | 250mA | 电源电压 | 9V~20V |
上升时间 | 80ns | 下降时间 | 40ns |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
产品概述:IR21271STRPBF
IR21271STRPBF是一款高性能的高压侧或低压侧栅极驱动器,专为控制IGBT和N沟道MOSFET而设计,适用于需要高电压驱动的应用。作为Infineon(英飞凌)公司的一款集成电路(IC),它采用了表面贴装型SOIC-8封装,具有优良的电气性能和广泛的应用场景。
IR21271STRPBF在性能上具备卓越的输出能力:
IR21271STRPBF的设计温度范围为-40°C至150°C,适合在恶劣环境条件下工作,特别适合工业控制、电动汽车及可再生能源系统等领域。
IR21271STRPBF能够广泛应用于:
IR21271STRPBF的各项性能指标使其成为一种理想的栅极驱动器,适用于高压和高功率应用。它的表面贴装型设计、宽工作温度范围及高速开关能力,结合Infineon作为知名品牌的技术优势,确保了其在市场上的竞争力。工程师可以自信地选用IR21271STRPBF,以实现高效、可靠的电源管理和控制,在满足严苛应用需求的同时,推动整体系统性能的提升。