类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 250V |
连续漏极电流(Id) | 8.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 450mΩ@5.1A,10V |
功率(Pd) | 74W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 770pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
IRF634PBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由 VISHAY(威世)公司生产。该器件设计用于高压、大电流的应用场合,具有出色的电气特性和可靠性。其漏源电压(Vdss)可达到250V,连续漏极电流(Id)在25°C时可达到8.1A,适合用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他高功率电子电路。
IRF634PBF 的技术参数包括:
IRF634PBF 采用 TO-220AB 封装,封装外壳为 TO-220-3。这种封装类型便于散热,并且适合通孔安装,使得其在 PCB 设计和组装过程中非常便利。这种设计保证了器件的热性能,为高功率和高效率的应用提供了可靠的支持。
IRF634PBF 适用于多种应用,包括但不限于:
IRF634PBF 的主要优势包括其出色的导通特性和低导通电阻,确保在运行中的能量损耗最小化。此外,其耐高温范围和稳定性能使其能够在严酷的环境中长时间工作,满足可靠性的要求。其宽广的电压和电流范围使其适合多样化的应用需求。同时,VISHAY 的品牌声誉也为其质量提供了保障。
总的来说,IRF634PBF 是一款功能强大且高效的 N 通道 MOSFET,具备超高的工作可靠性和广泛的应用适应性。无论是在工业应用还是消费电子领域,它都能提供稳定的性能和卓越的能效,是高功率电路设计中的理想选择。