类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 14A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,8.4A |
功率(Pd) | 79W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 58nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 760pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF9530NPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为电源管理和高效率应用而设计,具备优良的导电性能和热管理能力。此器件具有最大漏源电压(Vdss)为 100V 和连续漏极电流 (Id) 为 14A 的规格,适合于多种功率电子电路中,如开关电源、电机驱动和充电器应用。基于 Infineon(英飞凌)公司的先进技术,该 MOSFET 提供可靠的性能,能够有效地满足现代电子设备日益增长的功率和效率要求。
IRF9530NPBF MOSFET 广泛应用于各种电子产品的电源管理,包括但不限于:
作为一款高性能 P 通道 MOSFET,IRF9530NPBF 结合了卓越的电气性能和宽广的应用灵活性,为电源管理和高效率设计提供了理想解决方案。其显著的导电特性和优越的热管理能力,确保在各种电气环境中工作的稳定性和可靠性。因此,IRF9530NPBF 是工程师在设计现代电子产品时,值得信赖的选择之一。