类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@7.2A,10V |
功率(Pd) | 88W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 860pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
基本信息
IRF9530PBF 是由威世半导体(VISHAY)生产的一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装类型为 TO-220-3。该元件被广泛应用于电源管理、开关电源以及各种需要高效能和高可靠性工作场景的电路设计中。凭借其卓越的电气特性和优良的热性能,IRF9530PBF 适合用于高电压和高电流的应用场合。
技术参数
功率耗散与热特性
IRF9530PBF 的最大功率耗散为88W(Tc),相对于其封装尺寸,表现出优异的热性能。在高负载条件下,器件能够保持稳定的工作温度,其工作温度范围从-55°C到175°C,这提供了极大的设计灵活性,使其在极端环境条件下也能正常工作。
应用领域
由于 IRF9530PBF 的出色性能,其广泛应用于各种领域,包括:
市场表现与品牌优势
作为威世半导体的一款高质量产品,IRF9530PBF 在市场上享有良好的声誉,凭借其可靠的性能、较高的质量标准及优质的客户服务得到了众多设计工程师的青睐。其强大的性能指标以及在复杂环境下的稳定性使其成为许多高端市场项目和长期合作伙伴的优选产品。
总结
IRF9530PBF 是一款技术先进、性能优异的 P 沟道 MOSFET,适合各种高功率、低损耗的应用场景。无论是在电源管理、马达驱动,还是在其他工业应用领域,其出色的电性能和散热特性均为设计带来了更大的灵活性和可能性。威世品牌的支持与服务确保了该产品在市场上的竞争力,使其成为电子设计师信赖的关键元件之一。