IRF9530PBF 产品实物图片
IRF9530PBF 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF9530PBF

商品编码: BM0000281008
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 88W 100V 12A 1个P沟道 TO-220AB-3
库存 :
1019(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.85
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.85
--
1000+
¥2.71
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF9530PBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@7.2A,10V
功率(Pd)88W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)38nC@10V输入电容(Ciss@Vds)860pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRF9530PBF手册

IRF9530PBF概述

IRF9530PBF 产品概述

基本信息

IRF9530PBF 是由威世半导体(VISHAY)生产的一款高性能 P 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),封装类型为 TO-220-3。该元件被广泛应用于电源管理、开关电源以及各种需要高效能和高可靠性工作场景的电路设计中。凭借其卓越的电气特性和优良的热性能,IRF9530PBF 适合用于高电压和高电流的应用场合。

技术参数

  • 漏源极电压(Vdss): 100V。意味着该 MOSFET 可以安全地工作在高达100V的漏源电压之下,适应多种高压应用需求。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下,IRF9530PBF 的最大连续漏极电流为12A,适用于要求较大电流输出的场合。
  • 栅源电压(Vgss): ±20V,确保你在栅极驱动电压方面具有灵活性,可以应对不同设计需求。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在10V栅驱动电压下,导通电阻的最大值为300毫欧(@7.2A)。低的导通电阻使其在工作时温升较低,效率高。
  • 栅极电荷(Qg): 在10V电压下,栅极电荷的最大值为38nC。低 Qg 使其适用高频率开关应用。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为860pF(@25V),这意味着在高频应用时,器件的响应速度较快,能够更快地切换状态。

功率耗散与热特性

IRF9530PBF 的最大功率耗散为88W(Tc),相对于其封装尺寸,表现出优异的热性能。在高负载条件下,器件能够保持稳定的工作温度,其工作温度范围从-55°C到175°C,这提供了极大的设计灵活性,使其在极端环境条件下也能正常工作。

应用领域

由于 IRF9530PBF 的出色性能,其广泛应用于各种领域,包括:

  1. 开关电源: 在 DC-DC 转换器和 AC-DC 变换器中,IRF9530PBF 可作为主开关元件,因其高开关速度和低导通电阻而被青睐。
  2. 马达驱动: 在电动机驱动及控制电路中,能够处理大电流和高电压的特性使其适合用于电机控制和驱动模块。
  3. 功率放大: 在功率放大器中,可用于信号的放大和开关。
  4. 自动化设备: 适用于输送带、机器人和其他自动化设备中用作开关和控制元件,确保系统的高效稳定运行。

市场表现与品牌优势

作为威世半导体的一款高质量产品,IRF9530PBF 在市场上享有良好的声誉,凭借其可靠的性能、较高的质量标准及优质的客户服务得到了众多设计工程师的青睐。其强大的性能指标以及在复杂环境下的稳定性使其成为许多高端市场项目和长期合作伙伴的优选产品。

总结

IRF9530PBF 是一款技术先进、性能优异的 P 沟道 MOSFET,适合各种高功率、低损耗的应用场景。无论是在电源管理、马达驱动,还是在其他工业应用领域,其出色的电性能和散热特性均为设计带来了更大的灵活性和可能性。威世品牌的支持与服务确保了该产品在市场上的竞争力,使其成为电子设计师信赖的关键元件之一。