类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 1.3kA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,75A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.67nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 280pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFB4310PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于各种高功率应用场景,尤其在电源管理和电动机驱动中得到了广泛应用。该器件由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,具备卓越的电气特性和高可靠性,是许多电气和电子设计工程师的理想选择。
本器件的基础参数如下:
IRFB4310PBF 被广泛应用于以下领域:
IRFB4310PBF 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET,完美地结合了高功率处理能力和低导通电阻的特性,为多种应用提供了理想的解决方案。其宽工作温度范围和高可靠性使其特别适用于高难度和极端环境中。无论是在工业自动控制、电源管理还是电动汽车驱动系统中,IRFB4310PBF 都表现出色,是工程师们值得信赖的选择。