类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@10V,23A |
功率(Pd) | 160W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 230pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFP150NPBF 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),它主要应用于高效能功率电子设备,具有优良的导通特性和高热管理能力。其额定漏源电压为 100V,最大连续漏极电流可达到 42A,适合用于各种电源管理和驱动电路中。此器件的功能特性使其在工业控制、电源转换、逆变器和电动工具等多种场合中有着广泛的应用。
漏源电压 (Vdss): IRFP150NPBF 的漏源电压为 100V,适合于需要高电压操作的应用场合。
最大连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,该器件的最大连续漏极电流可达到 42A,确保在温度升高或负载增大的条件下仍能有效运行。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs = 10V 时,IRFP150NPBF 的最大导通电阻为 36 毫欧(在 Id=23A 的条件下),这在高电流应用时能够极大地降低功率损耗,提高整体电效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 4V(在 250µA 条件下),这意味着其启动和关断响应更加敏感,便于与低电压控制电路兼容。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 110nC,确保快速的开关时间,适合高频率应用。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 1900pF(在 25V 条件下),这对高频开关操作至关重要,能够减少开关损耗。
功率耗散: IRFP150NPBF 的最大功率耗散值为 160W(在 Tc 条件下),这赋予其更好的热稳定性,能够在严酷环境下长时间工作。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应于更广泛和苛刻的环境。
封装类型: IRFP150NPBF 采用 TO-247AC 封装,这是一种常见的通孔安装封装,便于散热,适合各种电路板设计。
IRFP150NPBF 广泛应用于多种高效能功率转换电路,包括但不限于:
电源管理: 在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)等领域广泛使用,确保高效的电能转换与管理。
电动机驱动: 适用于各种电动机驱动应用,提供高效且稳定的电力供应。
逆变器: 可被用于太阳能逆变器及其他类型的电源逆变系统,确保高效的能量转换。
工业控制: 在工业自动化及控制系统中,IRFP150NPBF 可以作为主要的开关元件,提升整体动能效率。
IRFP150NPBF 是一款高性能且可靠的 N 通道 MOSFET,适合多种不同的应用场合。凭借其高耐压、高电流和低电阻等特性,该器件非常适合于需要效率与热管理的电子应用。无论是在工业控制、电源管理还是电动机驱动等领域,IRFP150NPBF 都能提供出色的性能表现,确保系统的高效运行。选择 IRFP150NPBF,用户可以期待高效、稳定和可靠的电子解决方案。