类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,28A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 234nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.057nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRFP260MPBF 是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,封装类型为TO-247AC。这款MOSFET特别适合高功率、高压应用,具有200V的漏源电压能力及50A的连续漏极电流,因此在电源管理、逆变器、电动机驱动等领域表现出色。其卓越的性能和较宽的工作温度范围,使其成为多种现代电子设备不可或缺的元器件之一。
高电压与电流能力:
低导通电阻:
高温工作能力:
优良的栅极绝缘特性:
快速开关特性:
较低的输入电容:
可靠的热管理:
IRFP260MPBF MOSFET广泛应用于各种电子和电力设备中,包括但不限于:
电源管理:
逆变器:
电动机驱动:
汽车电子:
IRFP260MPBF采用TO-247AC封装,这种封装尺寸适中,适合高功率应用,具备良好的散热性能。该封装设计使得器件的热管理变得更加高效,并且易于安装在电路板上,适合于多种工业设备和消费电子。
综上所述,IRFP260MPBF是一款集高性能、高可靠性与出色的热管理能力于一身的MOSFET。随着现代电子设备对能效、体积和热管理要求的不断提高,IRFP260MPBF凭借其优越的电气特性和广泛的应用前景,成为高功率、高压电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、逆变器还是电动机驱动应用中,该MOSFET都能够提供卓越的性能和持久的可靠性,为实现未来技术的发展提供了强有力的支持。