IRFP4468PBF

IRFP4468PBF 产品概述

IRFP4468PBF 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。此款设备特别设计用于高功率应用，能够在宽广的电压和电流范围内稳定工作，适用于多个工业和商业用途。

主要规格

IRFP4468PBF 的重要参数包括：

• 漏源电压（Vdss）： 100V
• 连续漏极电流（Id）： 在 25°C 时可达 195A
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th))： 4V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）： 2.6mΩ @ 180A, 10V
• 最大功率耗散： 520W (在 Tc=25°C 时)
• 工作温度范围： -55°C 至 175°C（TJ）

应用场景

IRFP4468PBF 在电源管理、逆变器、DC-DC 转换器、马达驱动等应用中表现出色。由于其出色的散热性能和小导通电阻，该 MOSFET 特别适合用于高频开关电源和高功率驱动场合，例如电动车、可再生能源传动系统及工业自控设备中。

设计优点

1. 优越的导通特性： 低导通电阻（2.6mΩ）意味着在高电流操作下，能耗非常小，有助于提高系统的整体效率。这对于需要较高效率的电源建筑至关重要。

2. 高功率处理能力： 最大功率耗散为520W，使 IRFP4468PBF 能够处理相对较高的功率需求，适合多种高功率应用。

3. 宽工作温度范围： -55°C 至 175°C 的工作温度范围使其能够在恶劣环境条件下运行。这对航空航天、汽车和工业控制系统等领域尤为重要。

驱动条件

为了达到最佳性能，IRFP4468PBF 的栅极驱动电压应在 10V 以上，该条件下可实现最低的导通电阻值。在使用时，设计师需要注意栅极电荷（Qg），其最大值为540nC（在 10V 的驱动下），这会影响在高频应用中的开关速度和驱动电路的能力。

封装与安装

IRFP4468PBF 采用 TO-247AC 封装，这种封装设计旨在提供良好的热管理和电气连接性能，同时便于散热。相对较大的封装尺寸也意味着能够处理更大功率，并为设备的安装与热管理提供了便利。

总结

IRFP4468PBF 是一款卓越的 N 沟道 MOSFET 解决方案，适用于需要高功率、低导通电阻和宽工作温度范围的应用场景。无论是在电源供应、马达控制还是逆变器技术中，这款 MOSFET 都能够提供稳定可靠的性能。其灵活的特性和高效的工作能力使其成为业界认可的选型之一，为设计师提供了更多的灵活性和选择空间。